[发明专利]闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯片之间的连接方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储领域，更具体的来讲，涉及闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯 片之间的连接方式。

背景技术

闪存因为其具有高密度、大容量、较低的读写操作耗时，非易失性等特点而越来越广的 被用于各种领域；和机械磁盘相比，使用闪存固态盘的一个主要好处在于它本身的优越的抗 震动性，另一个主要好处在于它的显著改善的系统性能，主要表现在更快的随机存取速度 (每秒10兆字节)，同时它只需更低的耗电量，并可应用在更大的操作温度范围。但是，闪 存芯片自身存在的一些缺陷限制了这类存储器的应用。其一，由于闪存芯片单片密度(通常 只有几千个兆字节)还是远远小于机械磁盘(通常几十万个兆字节)，所以大容量的闪存盘 必须由很多闪存芯片(闪存阵列)组成，才可以用来作为主要数据存储器，以替代机械磁盘。

尽管现有闪存盘的存取速度已经比机械磁盘快了很多，但单片闪存芯片或单个内部总线 的读写速度大约受限于每秒25兆字节，同存储媒体的接口技术(光纤接口每秒200至400 兆字节，串行ATA接口每秒150至300兆字节，串行SCSI接口每秒300至600兆字节)相 比，还相差甚远。另外，在写闪存芯片之前，闪存芯片必须被擦除并确认其成功的擦除，写 闪存芯片相对比较慢，这也会显著的降低系统的性能。

一般闪存存储装置中有大量的闪存芯片，众多的闪存芯片排成数行数列，构成大容量闪 存阵列。从宏观上看，所有闪存芯片是同时并行读写的，不同的闪存控制器的确是同时并行 读写的，然而，对特定的一个闪存控制器，如果我们来观察其内部总线，所有的数据传输在 内部总线上是串行的，数据先被传输到第一行闪存芯片，然后数据再被传输到第二行闪存芯 片，以此类推。闪存列的数据传输速度受限于这个共享的内部总线。

申请号为200710073655.1、200710074355.5的专利申请提供了类似的闪存控制器及闪存 阵列管理办法，但这些专利申请从本质上讲其闪存列的数据传输是在共享的列内部总线上串 行的。

闪存芯片厂家通常生产8位或16位的闪存芯片，为了能够支持不同位数和不同厂家的 闪存芯片，闪存控制器也通常被制造成8位数据线宽闪存控制器(以下简称“8位闪存控制 器”)或16位数据线宽闪存控制器(以下简称“16位闪存控制器”)。这两种闪存控制器相比 而言，16位闪存控制器的体积大概是8位闪存控制器的1.5倍，其价格也大概是8位闪存控 制器的1.5倍。

一般闪存存储装置中都是16位闪存控制器接16位闪存芯片，8位闪存控制器接8位闪 存芯片。对采用上述两种不同连接方式生产的同等容量闪存存储装置进行比较，可知16位 的闪存存储装置读写性能较好，但是闪存控制器的成本较高，体积较大；8位的闪存存储装 置虽然闪存控制器体积较小、低成本，但是读写速度却受到限制。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯片之间 的连接方法，能够增加闪存存储装置的容量，缩小闪存存储装置的体积，并进一步降低成本。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案来实现：