[发明专利]在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法无效
| 申请号： | 200810243737.0 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101425467A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 董伟伟;方晓东;邵景珍;邓赞红;陶汝华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/36;H01L21/428;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/32;G01N21/00;G02F1/15 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 制备 透明 导电 薄膜 异质结 方法 | ||
【权利要求书】：
1.在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，采用脉冲激光沉积法、溅射法或者化学溶液法在柔性衬底上室温沉积n-透明导电薄膜、p-透明导电薄膜材料的非晶薄膜或依次沉积p-透明导电薄膜和n-透明导电薄膜制备透明p-n结，其特征在于：通过原位或异位激光退火使所述的n-透明导电薄膜、p-透明导电薄膜材料的非晶薄膜结晶，或者通过激光退火使所述的透明p-n结的各层薄膜结晶。
2.根据权利要求1所述的在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，其特征在于所述的退火激光的能量范围为30-170mJ/cm2。
3.根据权利要求1所述的在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，其特征在于所述的柔性衬底是米拉，聚乙烯对苯二甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚丙烯二酯、聚四氟乙烯或聚合的2-甲基丙烯酸甲酯材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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