[发明专利]背部钝化的高效太阳电池结构及其生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池的生产技术领域，特别是一种背部钝化的高效太阳电池结构及其生产工艺。

背景技术

晶体硅太阳电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳电池研究领域的基本目标。

发明内容

本发明的目的是要提高晶体硅太阳电池的效率，适用于产业化生产。

本发明采用的技术方案是：一种背部钝化的高效太阳电池结构，包括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层，在钝化层的表面制作背电极。

一种背部钝化的高效太阳电池生产工艺，工艺步骤为，首先用于制作太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺，去PSG，制作减反色膜，丝网印刷、然后烧结的工艺后成为太阳电池，在制作减反色膜后，在硅片的背部制作背部钝化层，在完成背部钝化层以后在进行丝网印刷，然后在烧结，成为太阳电池。

背部钝化层为二氧化硅氧化层或者是氮化硅钝化层。

本发明的有益效果是：通过增加的背部钝化层，可以显著提高太阳电池的光电转换效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的结构示意图。

图中：1.太阳电池片，2.钝化层，3.背电极。

具体实施方式

在图1中的是背部钝化的高效太阳电池结构，包括太阳电池片1、太阳电池片1背部的钝化层2，在钝化层2的表面制作背电极3。二氧化硅氧化层或者是氮化硅钝化层。

一种背部钝化的高效太阳电池生产工艺，工艺步骤为，首先用于制作太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺，去PSG，制作减反色膜，丝网印刷、然后烧结的工艺后成为太阳电池，在制作减反色膜后，在硅片的背部制作背部钝化层1，在完成背部钝化层1以后在进行丝网印刷，然后在烧结，成为太阳电池。背部钝化层1为二氧化硅氧化层或者是氮化硅钝化层。