[发明专利]一种反激电路的同步整流驱动电路

权利要求书

1.一种反激电路的同步整流驱动电路，反激电路包括：顺序连接接收PWM驱动信号的第三二极管(D3)、主开关管(Q1)、主变压器(T1)的原边；主变压器(T1)的副边连接同步整流管(Q2)和输出电容(Cout)；其特征在于，所述的驱动电路包括：

第一电阻(R1)串联第一电容(C1)接在PWM驱动信号和驱动变压器(Tr1)原边同名端之间，驱动变压器(Tr1)副边异名端连接第二电阻(R2)和第二电容(C2)的一端，第二电阻(R2)和第二电容(C2)并联，实现PWM驱动信号的隔离传输；第二二极管(D2)的阴极通过第四电阻(R4)与同步整流管(Q2)的门极相接，第二二极管(D2)的阳极与第二电容(C2)的另一端相接，构成同步整流管(Q2)的门极充电电路；第三电阻(R3)与第一二极管(D1)并联，第一二极管(D1)的阳极接在驱动变压器(Tr1)副边同名端，阴极与第二二极管(D2)的阳极相接；控制开关三极管(VT1)分别连接第二二极管(D2)的阳极、同步整流管(Q2)的门极和源极，作为同步整流管(Q2)的门极放电电路。

2.根据权利要求1所述的一种反激电路的同步整流驱动电路，其特征在于：所述三极管(VT1)为PNP三极管；

所述控制开关三极管(VT1)分别连接第二二极管(D2)的阳极、同步整流管(Q2)的门极和源极为：

PNP三极管(VT1)基极接第二二极管(D2)的阳极，发射极和集电极分别与同步整流管(Q2)的门极和源极相接。

3.根据权利要求1所述的一种反激电路的同步整流驱动电路，其特征在于：所述三极管(VT1)为P沟道MOSFET；

所述控制开关三极管(VT1)分别连接第二二极管(D2)的阳极、同步整流管(Q2)的门极和源极为：

P沟道MOSFET的门极连接第二二极管(D2)的阳极，源极接同步整流管(Q2)的门极，漏极接同步整流管(Q2)的源极。