[发明专利]液晶显示器及其控制方法有效
申请号: | 200810246849.1 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101770750A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术,特别是涉及一种液晶显示器及其控制方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称 TFT-LCD)主要包括:彩膜基板(Color Filter Panel)、阵列基板(Array Panel) 以及填充在这两个基板之间的液晶层。阵列基板主要包括多个平行的栅线(gate line),以及与栅线绝缘且垂直交叉的数据线(data line),由栅线和数据线限定的 区域称作一个像素(pixel),每个像素包括一个像素电极以及控制该像素电极充 电与否的薄膜晶体管TFT。
图1为现有技术TFT-LCD单位像素的等效电路图。如图1所示,薄膜晶体 管TFT的栅极g、源极s和漏极d,分别与栅线Gi、数据线Dj和像素电极Pij连 接。其中,将栅线Gi和数据线Dj所确定的像素电极称为Pij。像素电极Pij与彩 膜基板上的公共电极之间充满了液晶材料,可把其等效地用液晶电容CLC表示; 液晶电容CLC控制了液晶分子的偏转。栅极g与漏极d之间形成寄生电容CGD。 为了实现对阵列基板公共电极电压的单独调整,现有技术在阵列基板上形成与 栅线平行且数量相同的存储电容电极线Ci,并给存储电容电极线施加与彩膜基 板公共电极Vcom(CF)相同的公共电极电压Vcom,这样在像素电极Pij和存储电 容电极线Ci之间就形成了存储电容Cst,存储电容Cst与液晶电容CLC并联;存 储电容Cst的作用是最大程度的保持像素电极的电荷量,减缓像素电极的电荷流 失速度,从而维持液晶层间的压差。
理想状态下,在薄膜晶体管TFT处于开启状态、且像素电极Pij上的电压 VP达到该像素显示灰度充电率时,应与薄膜晶体管TFT处于关闭状态时,保持 像素电极Pij上的电压VP不变,这样才能保证显示图像的质量。但从图1所示的 TFT-LCD单位像素的等效电路可知,由于薄膜晶体管TFT的栅极g与漏极d之 间存在寄生电容CGD,因而当薄膜晶体管TFT由开启状态转化到关闭状态的瞬 时,即行扫描信号由VON下降到VOFF时刻,根据关断前后TFT电荷守恒原理, 等效电路中电容上的电荷要重新分配,像素电压VP会有一定程度的降低,称为 跳变(kick Back)电压。
在薄膜晶体管TFT关断前后,根据电荷守恒定律,存在如下关系:
(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM)×(CLC+CST)=(VP2-VOFF)×CGD+(VP2-VCOM) ×(CLC+Cst)
由此推导出公式(1):
ΔVP=VP2-VP1=(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC+Cst) (1)
其中VP1和VP2分别表示薄膜晶体管TFT开启和关闭状态下像素电极Pij的 电压值,VON和VOFF分别表示栅极的开启电压和关闭电压,ΔVP表示像素电极 Pij的跳变电压。
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