[发明专利]一种适用于引线框架用铜合金的复合变质剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于引线框架用铜合金的复合变质剂，它是含有稀土的组合式(复合)型变质剂，属铜合金加工领域，该变质剂能够提高引线框架用铜合金熔体形核率，净化合金熔体，细化晶粒，从而改善铸锭的加工能力，提高最终产品的强度和导电率。

背景技术

集成电路是现代电子信息技术的核心，是电子、计算机和信息工业发展的基础。作为制造集成电路主要材料的引线框架，起着支撑芯片、保护内部元件、连接外部电路和向外散发元件热量的作用，因而在集成电路器件制造中占有极其重要的地位。随着集成电路产业的发展，对于引线框架材料的需求量日益增大。国内无锡华晶、厦门永红、宁波康强等电子材料有限公司，每年用量均超过五千吨。虽然我国引线框架材料的开发及研制相对较早，但技术水平还比较落后，制约了我国电子信息产业尤其是半导体和集成电路封装业的生产和发展。

生产引线框架用铜合金面临的两大问题，一是熔铸上尚不过关；另一个是后续加工过程的关键技术不过关。铸坯的好坏决定着后续加工过程的整体质量，所以熔铸方法及熔铸工艺问题就显得十分重要。需要研究合适的熔铸装备(特别是结晶器的结构形式)和熔铸工艺(熔炼和铸造温度、速度、和冷却方式等)，生产出合格的引线框架用铜合金长锭坯。

铸坯要求成分均匀，无夹杂，无缩松缩孔，晶粒细小，表面光洁，这样才能顺利进行后续轧制工艺。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够净化引线框架用铜合金熔体，细化晶粒、提高合金强度和导电率的新型复合变质剂，以生产出高质量的合金铸坯。

本发明的上述目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明的新型复合变质剂，包含有稀土镧(La)、铈(Ce)、钇(Y)、钪(Sc)中的一种或多种、铬(Cr)和镁(Mg)，可选择性加入锆(Zr)和钛(Ti)，所有成分必须预先制作成铜中间合金。其各组分的加入量，按合金熔体重量百分比计分别为：稀土(RE)0.005-0.02％，铬(Cr)0.001-0.01％，镁(Mg)0.001-0.01％，可选择性地加入：锆(Zr)和钛(Ti)中的一种或两种，总量不超过0.001％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有镧、铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，镧：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有铈、铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，铈：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有钇、铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，钇：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有钪、铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，钪：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有镧铈混合稀土，镧铈可以以任意比例混合，铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，镧铈混合稀土：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有稀土铈、钇，铈和钇可以以任意比例混合，铬、镁，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，稀土铈、钇：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有稀土中的一种或两种、铬、镁、锆，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，稀土：0.001-0.02％，铬：0.005-0.01％，镁：0.001-0.01％，锆：0.001-0.005％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有稀土中的一种或两种、铬、镁、钛，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，稀土：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％，钛：0.001-0.005％。

一种优选技术方案，其特征在于：所述复合变质剂中包含有稀土中的一种或两种、铬、镁、锆，钛，在合金熔体中的加入量按合金熔体重量的百分比为，稀土：0.005-0.02％，铬：0.001-0.01％，镁：0.001-0.01％，锆：0.001-0.005％，钛：0.001-0.005％。