[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属层薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极 和栅线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和 阻挡层薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、半导体层和阻挡层的图形 在内的图形，所述阻挡层用于阻止TFT沟道部分的半导体层被刻蚀，阻挡 层图形的面积小于半导体层图形的面积，使步骤3中的欧姆接触层和半导 体层接触，所述阻挡层的厚度为100-300nm，所述半导体层的厚度为 40-100nm，且所述半导体层形成在栅绝缘层上；

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积欧姆接触层薄膜、透明导电层 薄膜、源漏金属层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺，形成包括欧姆接触 层、像素电极、数据线、源电极、漏电极和钝化层的图形在内的图形，且 所述欧姆接触层形成在所述栅绝缘层、半导体层和阻挡层上，所述欧姆接 触层上设置有像素电极，所述像素电极上设置漏电极，所述源电极和漏电 极之间形成TFT沟道，所述源电极和数据线相连；

其中，所述栅绝缘层、半导体层和阻挡层在一次构图工艺中形成；

所述欧姆接触层、像素电极的图形在另一次构图工艺中形成。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于， 所述步骤2包括：

步骤121、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄 膜和阻挡层薄膜；

步骤122、在完成步骤121的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤123、采用半色调或灰色调掩模板形成光刻胶完全保留区域、光刻 胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于形 成阻挡层的图形的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于基板上形成所述半 导体层的图形的区域之外的区域；所述光刻胶部分保留区域对应于基板上除 所述光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域之外的区域；

步骤124、刻蚀掉暴露出来的阻挡层薄膜和半导体层薄膜，形成半导体 层的图形；

步骤125、对经过步骤124之后的剩余光刻胶进行灰化处理，去除所述 光刻胶部分保留区域的光刻胶；

步骤126、刻蚀掉暴露出来的阻挡层薄膜，露出半导体层薄膜，形成阻 挡层的图形；

步骤127、剥离剩余的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤3包括：

步骤131、在完成步骤127的基板上连续沉积欧姆接触层薄膜、透明导 电层薄膜和源漏金属层薄膜，通过构图工艺形成包括欧姆接触层、数据线、 像素电极和源漏金属层的图形在内的图形；

步骤132、在完成步骤131的基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺， 形成包括源电极、漏电极和TFT沟道的图形在内的图形。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤131包括：

步骤131a、在完成步骤127的基板上连续沉积欧姆接触层薄膜、透明导 电层薄膜和源漏金属层薄膜；

步骤131b、在完成步骤131a的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤131c、采用半色调或灰色调掩模板形成光刻胶完全保留区域、光刻 胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于形 成源漏金属层的图形和数据线的图形的区域，所述光刻胶部分保留区域对应 于形成像素电极图形的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于所述光刻胶完 全保留区域和光刻胶部分保留区域之外的区域；

步骤131d、刻蚀掉暴露出来的源漏金属层薄膜、透明导电层薄膜和欧姆 接触层薄膜，形成数据线和欧姆接触层的图形；

步骤131e、对经过步骤131d之后的剩余光刻胶进行灰化处理，去除所 述光刻胶部分保留区域的光刻胶；

步骤131f、刻蚀掉暴露出来的源漏金属层薄膜，露出透明导电层薄膜， 形成像素电极的图形；

步骤131g、剥离剩余的光刻胶。