[发明专利]改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 200810300186.7 | 申请日: | 2008-01-22 |
公开(公告)号: | CN101224978A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 曹建新;张煜;杨林;李庆利 | 申请(专利权)人: | 贵州大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/47;C04B35/472;C04B35/493;C04B35/499;C04B35/64 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人: | 吴无惧 |
地址: | 5500*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 pzt 高温 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能陶瓷材料及其制备技术领域,具体来说是提供一种改性PZT基压电陶瓷新材料及其制备方法。
背景技术
自1880年J.居里和P.居里发现压电效应以来,压电学已成为现代科学与技术的一个重要领域。到目前为止,压电陶瓷材料已成为各技术领域不可缺少的重要功能材料,并已发展成为新兴的高技术产业。目前世界各国高度重视压电陶瓷材料的研究和开发,研究的重点主要是从已知材料中发掘新效应,开拓新应用,同时从控制材料组织和结构入手,寻找新的压电材料。
由于Pb(Zr,Ti)O3(PZT)压电陶瓷材料具有优异的压电性能,是目前应用最广泛最成功的压电陶瓷材料之一,已被广泛用于制作压电驱动器、传感器、滤波器、微位移器、压电陀螺等电子元器件。当锆钛比处于三方相和四方相之间的准同型相界(MPB)区域时,材料的铁电压电性能较好,但居里点较低,为330℃左右,由于热激活老化过程,其安全使用温度被限制在居里温度的1/2处,使其应用只能局限在较低温度区域。
与传统的BaTiO3系统相比,PZT压电陶瓷压电性能高,具有较好的机电耦合系数,较好的机械品质因数以及良好的温度稳定性和时间稳定性。但是,未经改性的PZT材料同样存在一些问题:一是烧结温度高,会引起铅的挥发,因而难以获得致密的烧结体和准确的化学计量比;再者,为获得较优的压电性能,在选择组分时,往往选在MPB附近,此时Kp具有最大值,但损耗比较大,因此就需要寻找合适的Zr/Ti比,但PZT二元系陶瓷的MPB相界组成为一点,其调节范围很窄,故而限制了应用。
现有居里温度高于PZT的压电陶瓷材料有LiNbO3、BiFeO3、CaBi4Ti4O15、PbTiO3等,它们的压电性能与PZT相比要差很多,致使难以得到广泛的应用。因此,在压电陶瓷领域中,将具有钙钛矿型结构,且居里点较高的化合物对PZT进行掺杂,从而获得高温压电陶瓷材料的研究成为热点之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法,将具有相同钙钛矿结构的化合物对PZT进行掺杂改性,来提高压电材料的居里温度Tc,且使压电介电性在高温下具有较好的稳定性,从而拓宽PZT基压电材料的使用温度范围。
研究表明,压电材料的居里温度取决于其晶体结构,居里点的高低反映了其自发极化离子定向的稳定程度,或者表征了极化离子在某一参考温度下所处自由能的高低状态,自由能越低越稳定。而且自由能是由阴阳离子之间相互作用能的大小所决定,而相互作用能的大小又取决于离子间距及化学键的特性,离子间间距越小,化学键的结合力越强,就意味着只有在较高温度下才能使材料转入对称平衡状态,即材料的居里温度较高。
为了解决上述问题,本发明提供了一种改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法,该材料组合物可用下式表示:
Pb[(ZraTi1-a)x(M1M2)y]O3其中:
0.40≤a≤0.60,x+y=1,0≤y≤0.2;
M1为2价金属元素,M2为5价金属元素,M1为Sr、Ba、Ni及Cu的氧化物的至少一种,M2为W、Ta及Nb的氧化物的至少一种,其中M1为Ni元素,M2为Ta元素。
该材料的制备方法,其步骤如下:
(1)将原料按化学式Pb[(ZraTi1-a)x(M1M2)y]O3混合后球磨,然后在70~100℃烘干;
(2)将烘干后物料进行预烧,预烧温度750℃~950℃,保温时间1~3小时;
(3)将预烧过的物料进行二次球磨,得到平均粒径在1-2μm的的超细粉体;
(4)向二次研磨后的物料加入5~10wt%的PVA作为粘结剂,在8~15MPa压力下加压成型,获得陶瓷坯体;
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