[发明专利]一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置

权利要求书

1.一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，它包括以下步骤：

(1)先在氧化铝晶体衬底上制备二硼化镁超导薄膜，再用稀盐酸溶液处理薄膜的表面；

(2)选择PI膜作为屏蔽膜，在二硼化镁超导薄膜上布图布线，其制作流程如下：

a.在二硼化镁超导薄膜表面涂覆一层均匀的PI膜，然后在130℃～150℃的温度下预固化30min～60min，再在PI膜表面涂覆一层均匀光刻胶膜；

b.利用常规的光刻技术将设计好的图形转移到光刻胶膜上，然后在乙二胺和水合肼的混合液中将没有被光刻胶膜屏蔽的PI膜腐蚀掉，再用光刻胶去膜剂去掉光刻胶膜，从而将设计好的图形转移到PI膜上；

c.将PI膜放入固化热处理装置中进行固化热处理，处理温度为室温～400℃，处理时间为450min～500min，使PI膜脱水转化成高质量的聚酰亚胺膜；

d.将上述的固化好的样品放入浓氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中，在一定温度下将没有被PI膜屏蔽的二硼化镁薄膜腐蚀掉，再用乙二胺和水合肼的混合液去掉PI膜，从而实现设计好的图形转移到二硼化镁超导薄膜上。

2.根据权利要求1所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：二硼化镁超导薄膜上层的PI膜的厚度为5μm～25μm。

3.根据权利要求1所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：PI膜上层的光刻胶膜的厚度为2μm～3μm。

4.根据权利要求1所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：乙二胺和水合肼的混合液中乙二胺与水合肼的体积比为2～3∶1，其对PI膜的腐蚀时间为1min～4min。

5.根据权利要求1所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：稀盐酸溶液的质量百分比浓度为5％～10％。

6.根据权利要求1所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：腐蚀液中浓硝酸与浓氢氟酸的体积比为3～4∶1，其腐蚀温度为25℃～40℃，腐蚀时间为4min～6min。

7.根据权利要求1或6所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法，其特征在于：浓氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中浓氢氟酸的质量百分比浓度为39％～41％，浓硝酸的质量百分比浓度为65％～68％。

8.如权利要求1所述的二硼化镁超导薄膜布图布线方法的固化热处理装置，其特征在于：该装置上部为样品室(1)，下部是高温烘箱(2)，二者中间为不锈钢热板(3)，下部设置有气体入口，上部出口经管道连接机械泵(4)。