[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、以及一位于第一型半导体层与一第二型半导体层之间的活性层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，其特征在于：所述第一电极包括相互分离的一感应电极以及一第一接触垫。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述基底为绝缘基底，所述第一型半导体层形成在所述基底上，所述第二型半导体层及活性层局部覆盖所述第一型半导体层，所述第一型半导体层具有一未被第二型半导体层及活性层覆盖的暴露部分，所述第一电极位于该暴露部分且与第一型半导体层形成欧姆接触，所述第二电极的透光导电层形成在第二型半导体层上，所述图案化金属导电层位于透光导电层的远离第二型半导体层的一侧。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述感应电极的形状为直条形、梯形、圆形或椭圆形。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，所述感应电极的形状为直条形，所述第一接触垫位于感应电极的纵向延长线上。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光导电层与第二型半导体层形成欧姆接触。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述图案化金属导电层包括第二接触垫以及从该第二接触垫延伸出来的延长臂。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透光导电层所在区域之面积的80％及以上。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。