[发明专利]LED光源装置无效
申请号: | 200810301150.0 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101561104A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 陈杰良 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | F21S9/03 | 分类号: | F21S9/03;F21V23/00;H02J7/00;F21Y101/02 |
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地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 光源 装置 | ||
1.一种LED光源装置,其包括:一个LED发光元件,该LED发光元件用于发光,其特征在于:所述LED光源装置还进一步包括:一个太阳能电池单元及一可充电电池单元,所述太阳能电池单元用于产生电能,所述可充电电池单元用于存储所述太阳能电池单元产生的电能,并将该存储的电能提供给所述LED发光元件使其发光。
2.如权利要求1所述的LED光源装置,其特征在于:所述LED光源装置进一步包括一充放电控制器,所述充放电控制在充电模式下用于精准控制所述可充电电池单元充电,在放电模式下用于控制所述LED发光元件的亮度。
3.如权利要求2所述的LED光源装置,其特征在于:所述充放电控制器包括一个第一DC/DC转换器、一个第二DC/DC转换器、一个脉宽调制控制器,所述太阳能电池单元与可充电电池单元之间通过所述第一DC/DC转换器电连接,所述可充电电池单元与所述LED发光元件之间通过所述第二DC/DC转换器电连接。
4.如权利要求1所述的LED光源装置,其特征在于:所述太阳能电池单元包括一个基板、一层背电极、一层P型半导体层、一层P-N结层、一层N型半导体层、一层透明导电层、及一层前电极,所述基板包括一个承载面,所述背电极形成该基板的承载面上,所述P型半导体层形成在该背电极上,所述P-N结层形成在该P型半导体层上所述N型半导体层形成在该P-N结层上,所述透明导电层形成在该N型半导体层上。
5.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述基板由可挠曲的材料做成。
6.如权利要求5所述的LED光源装置,其特征在于:所述基板的材料为铝镁合金箔、不锈钢片,或聚合物薄板。
7.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述背电极的材料是银、铜、钼、铝、铜铝合金、银铜合金或者铜钼合金。
8.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述P型半导体层的材料是P型非晶硅、氮化铝镓或者砷化铝镓。
9.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述P-N结层的材料是铜铟镓硒、碲化镉或者铜铟硒。
10.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述N型半导体层的材料是N型非晶硅、氮化钾或者磷化铟镓。
11.如权利要求4所述的LED光源装置,其特征在于:所述透明导电层的材料是铟锡氧化层或者氧化锌。
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