[发明专利]电子装置壳体及其制造方法无效
| 申请号： | 200810301531.9 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101578019A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李翰明;洪志谦;周祥生;张清贤 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K5/00 | 分类号： | H05K5/00;H05K5/04;C25D11/02;C25D11/36 |
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| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 壳体 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子装置壳体，包括金属本体及塑件，该金属本体与塑件采用嵌入成型方式一体成型，其特征在于：该金属本体在与该塑件结合处的结合表面生成有可供该塑件附着的氧化膜。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该塑件的材质为聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯和液晶聚合树脂中的至少一种。
3.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该金属本体材料为镁合金、铝合金、钛合金中的至少一种。
4.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜经电化学处理生成，该电化学处理为阳极氧化、磷化之一。
5.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜厚度小于或等于5微米。
6.如权利要求4所述的电子装置壳体，其特征在于：该阳极氧化为微弧氧化。
7.如权利要求5所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜具有供该塑件部分嵌入的孔洞结构。
8.一种电子装置壳体的制备方法，其包括以下步骤：
提供一金属本体，在该金属本体的结合表面生成有氧化膜；
提供一塑件，该塑件熔融后与该金属本体经该结合表面上的氧化膜以嵌入成型方式结合为一体。
9.如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜经电化学处理生成，该电化学处理为阳极氧化、磷化之一。
10.如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜厚度在小于或等于5微米。
11.如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜具有供该塑件部分嵌入的孔洞结构。
12.如权利要求9所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该阳极氧化为微弧氧化。
13.如权利要求12所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该微弧氧化的电流密度为？1A/dm2至1.5A/dm2、温度为20℃至40℃、频率为500HZ至800HZ、占空比为12％至20％。
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