[发明专利]热蒸镀薄膜沉积制程于氧化铁的应用无效

专利信息
申请号: 200810302508.1 申请日: 2008-07-03
公开(公告)号: CN101619438A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 赖盈方 申请(专利权)人: 赖盈方
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/18;C23C14/14;C23C14/54
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人: 何 为
地址: 中国台湾高雄市楠*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 热蒸镀 薄膜 沉积 氧化铁 应用
【权利要求书】:

1.一种热蒸镀薄膜沉积制程于氧化铁的应用,其特征在于包括下列步骤:

A、对蒸镀炉腔体内进行10分钟粗抽,当真空度达到0.2Torr时,对蒸镀炉腔体细抽10分钟,当真空度达到2*10-5Torr时,对蒸镀炉腔体内加氩气同时并加偏压约10KV,使氩气形成氩离子并对被镀物表面形成放电效应,清除被镀物表面;

B、对基板加热20分钟至400℃~800℃时,保持此温度10分钟后停止加热,而在基板温度降至380℃~520℃时,将电流调至270安培~350安培,通过大电流方式加热将原材料钛气化,并均速转动基板让被镀物正面焊锡端及侧面焊锡端都可以接触到原材料分子,约5分钟左右,使钛分子运动至被镀物正面焊锡端表面及侧面焊锡端形成第一层薄膜沉积;

C、在侦测到所镀的钛金属薄膜达到1um时,令可移动式蒸发源移动至对应于镍原材料处,在基板温度降至320℃~460℃,同样用大电流240安培~330安培对镍原材料加热气化成分子并旋转基板,5分钟后,在真空状态下镍分子运动至第一层钛金属薄膜上沉积,形成第二层镍金属薄膜;

D、当测得镍金属薄膜的膜厚达到1um时,关闭加热器20分钟,可移动式蒸发源自动移至对应锡原材料,当基板温度降至100℃~180℃时,启动蒸发源电流至100安培~180安培,对锡原材料加热气化成分子并旋转基板,5分钟后,在真空状态下锡分子运动至第二层镍金属薄膜上沉积,形成第三层锡金属薄膜。

2.一种热蒸镀薄膜沉积制程于氧化铁的应用,其特征在于包括下列步骤:

A、对蒸镀炉腔体内进行10分钟粗抽,当真空度达到0.2Torr时,对蒸镀炉腔体细抽10分钟,当真空度达到2*10-5Torr时,对蒸镀炉腔体内加氩气同时并加偏压约10KV,使氩气形成氩离子并对被镀物表面形成放电效应,清除被镀物表面;

B、对基板加热20分钟至400℃~800℃时,保持此温度10分钟后停止加热,在基板温度降至320℃~460℃,同样用大电流240安培~330安培对镍原材料加热气化成分子并旋转基板,5分钟后,在真空状态下镍分子运动至被镀物正面焊锡端表面及侧面焊锡端形成第一层薄膜沉积;

C、当测得镍金属薄膜的膜厚达到1um时,关闭加热器20分钟,可移动式蒸发源自动移至对应锡原材料,当基板温度降至100℃~180℃时,启动蒸发源电流至100安培~180安培,对锡原材料加热气化成分子并旋转基板,5分钟后,在真空状态下锡分子运动至第一层镍金属薄膜上沉积,形成第二层锡金属薄膜。

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