[发明专利]内存侦测电路有效
申请号: | 200810303229.7 | 申请日: | 2008-07-30 |
公开(公告)号: | CN101639797A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 李炳建;王宁;游永兴 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 侦测 电路 | ||
1.一种内存侦测电路,包括:
一第一开关元件,其第一端与一备用电源相连,并与一第一通道的内存插槽相连以接收一第一内存侦测信号,其第二端与所述备用电源相连,其第三端接地;
一第二开关元件,其第一端与所述第一开关元件的第一端相连,所述第二开关元件的第二端和所述备用电源相连;
一第三开关元件,其第一端与所述备用电源相连,并与一第二通道的内存插槽相连以接收一第二内存侦测信号,所述第三开关元件的第二端与所述第二开关元件的一第三端相连,所述第三开关元件的第三端接地;
一第四开关元件,其第一端与所述第三开关元件的第一端相连,所述第四开关元件的第二端与所述第一开关元件的第二端相连,所述第四开关元件的第三端接地;
一第五开关元件,其第一端与所述第四开关元件的第二端相连,所述第五开关元件的第二端与所述第二开关元件的第二端相连,所述第五开关元件的第三端接地;
一第一指示装置,与所述第二开关元件的第二端相连;以及
一第二指示装置,与所述第四开关元件的第二端相连;
所述第一开关元件至第五开关元件均为NMOS场效应管,其第一端、第二端及第三端分别为场效应管的栅极、漏极及源极;
当仅第一通道的内存插槽插入内存条时,所述第一内存侦测信号为低电平,所述第二内存侦测信号为高电平,使所述第一、第二开关元件截止,第三、第四开关元件导通,第五开关元件截止,所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式;当仅第二通道的内存插槽插入内存条时,所述第一内存侦测信号为高电平,所述第二内存侦测信号为低电平,使所述第一、第二开关元件导通,第三、第四开关元件截止,第五开关元件截止,所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式;当第一、第二通道的内存插槽均插入内存条时,所述第一、第二内存侦测信号均为低电平,使所述第一、第二、第三、第四开关元件均截止,第五开关元件导通,所述第二指示装置显示内存条工作于双通道模式。
2.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。
3.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。
4.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第二开关元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。
5.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第三开关元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。
6.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一指示装置、第二指示装置分别为一第一发光二极管、一第二发光二极管,所述第一发光二极管的阳极与所述第二开关的第二端相连,其阴极接地,所述第二发光二极管的阳极与所述第四开关元件的第二端相连,其阴极接地,当内存条工作于单通道模式时,所述第一发光二极管发光,当内存条工作于双通道模式时,所述第二发光二极管发光。
7.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一指示装置、第二指示装置设置于计算机机箱前面板上。
8.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第一端与所述第一通道的内存插槽的地线相连;所述第三开关元件的第一端与所述第二通道的内存插槽的地线相连。
9.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一通道和第二通道均包括至少一个内存插槽。
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