[发明专利]内存侦测电路有效

专利信息
申请号: 200810303229.7 申请日: 2008-07-30
公开(公告)号: CN101639797A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 李炳建;王宁;游永兴 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内存 侦测 电路
【权利要求书】:

1.一种内存侦测电路,包括:

一第一开关元件,其第一端与一备用电源相连,并与一第一通道的内存插槽相连以接收一第一内存侦测信号,其第二端与所述备用电源相连,其第三端接地;

一第二开关元件,其第一端与所述第一开关元件的第一端相连,所述第二开关元件的第二端和所述备用电源相连;

一第三开关元件,其第一端与所述备用电源相连,并与一第二通道的内存插槽相连以接收一第二内存侦测信号,所述第三开关元件的第二端与所述第二开关元件的一第三端相连,所述第三开关元件的第三端接地;

一第四开关元件,其第一端与所述第三开关元件的第一端相连,所述第四开关元件的第二端与所述第一开关元件的第二端相连,所述第四开关元件的第三端接地;

一第五开关元件,其第一端与所述第四开关元件的第二端相连,所述第五开关元件的第二端与所述第二开关元件的第二端相连,所述第五开关元件的第三端接地;

一第一指示装置,与所述第二开关元件的第二端相连;以及

一第二指示装置,与所述第四开关元件的第二端相连;

所述第一开关元件至第五开关元件均为NMOS场效应管,其第一端、第二端及第三端分别为场效应管的栅极、漏极及源极;

当仅第一通道的内存插槽插入内存条时,所述第一内存侦测信号为低电平,所述第二内存侦测信号为高电平,使所述第一、第二开关元件截止,第三、第四开关元件导通,第五开关元件截止,所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式;当仅第二通道的内存插槽插入内存条时,所述第一内存侦测信号为高电平,所述第二内存侦测信号为低电平,使所述第一、第二开关元件导通,第三、第四开关元件截止,第五开关元件截止,所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式;当第一、第二通道的内存插槽均插入内存条时,所述第一、第二内存侦测信号均为低电平,使所述第一、第二、第三、第四开关元件均截止,第五开关元件导通,所述第二指示装置显示内存条工作于双通道模式。

2.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。

3.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。

4.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第二开关元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。

5.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第三开关元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。

6.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一指示装置、第二指示装置分别为一第一发光二极管、一第二发光二极管,所述第一发光二极管的阳极与所述第二开关的第二端相连,其阴极接地,所述第二发光二极管的阳极与所述第四开关元件的第二端相连,其阴极接地,当内存条工作于单通道模式时,所述第一发光二极管发光,当内存条工作于双通道模式时,所述第二发光二极管发光。

7.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一指示装置、第二指示装置设置于计算机机箱前面板上。

8.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一开关元件的第一端与所述第一通道的内存插槽的地线相连;所述第三开关元件的第一端与所述第二通道的内存插槽的地线相连。

9.如权利要求1所述的内存侦测电路,其特征在于:所述第一通道和第二通道均包括至少一个内存插槽。

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