[发明专利]封装基板以及封装结构有效
申请号: | 200810304249.6 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101662894A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 蔡崇仁;张宏毅;陈嘉成;林承贤 | 申请(专利权)人: | 富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/44 | 分类号: | H05K3/44;H05K1/03;H05K7/20;H01L23/488;H01L23/36;H01L23/373 |
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地址: | 518103广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 以及 结构 | ||
技术领域
本发明涉及电路板技术,尤其涉及一种封装基板以及具有该封装基板的封装结构。
背景技术
在信息、通讯及消费性电子产业中,电路板是所有电子产品不可或缺的基本构成要件。随着电子产品往小型化、高速化方向发展,电路板也从单面电路板往双面电路板、多层电路板方向发展。多层电路板由于具有较多的布线面积和较高的装配密度而得到广泛的应用,请参见Takahashi,A.等人于1992年发表于IEEE Trans.on Components,Packaging,andManufacturing Technology的文献“High density multilayer printed circuit boardfor HITAC M~880”。
布线面积的增加、导电线路的细化使得电路板导电线路的线宽越来越细,线路的电阻越来越大,产生的热量也越来越多。而装配密度的增加极大地增加了封装在电路板上的封装元件如集成芯片、电阻的数量,也极大地增加了封装元件产生的热量。也就是说,现有技术的电路板产生了较多的热量。但是,现有技术的电路板并不能较快地散热。这是因为,一方面,电路板导电线路的电阻越来越大,导热性能也越来越弱;另一方面,电路板的绝缘层具有较低的导热系数,不能有效地导热,更不能有效散热。
因此,有必要提供一种具有较佳散热性能的封装基板以及封装结构。
发明内容
以下将以实施例说明一种封装基板以及封装结构。
一种封装基板,依次包括导电层、复合材料层以及金属基板,所述导电层具有导电图形,所述复合材料层具有第一表面和第二表面,所述第一表面与金属基板接触,所述第二表面与第一表面相对,复合材料层包括聚合物基体以及埋设于聚合物基体的碳纳米管阵列,所述碳纳米管阵列的生长方向与第一表面的夹角为80~100度之间。
一种封装结构,包括封装元件以及如上所述的封装基板,所述封装元件电连接于所述导电图形。
本技术方案的封装基板以及封装结构中具有金属基板以及与金属基板接触的复合材料层,并且所述复合材料层具有生长方向基本垂直于第一表面碳纳米管阵列,从而复合材料层具有优良的导热性能,可以较快地将导电图形以及封装元件散发的热量传导至金属基板,并由金属基板快速散发至外界。
附图说明
图1为本技术方案第一实施例提供的封装基板的示意图。
图2为本技术方案第一实施例提供的基底的示意图。
图3为本技术方案第一实施例提供的在基底上形成催化剂层的示意图。
图4为本技术方案第一实施例提供的在催化剂层上生长碳纳米管阵列的示意图。
图5为本技术方案第一实施例提供的聚合物基体包覆碳纳米管阵列的第二端部的示意图。
图6为本技术方案第一实施例提供的去除基底和催化剂层的示意图。
图7为本技术方案第一实施例提供的聚合物基体包覆碳纳米管阵列的第一端部的示意图。
图8为本技术方案第二实施例提供的封装基板的示意图。
图9为本技术方案第三实施例提供的封装基板的示意图。
图10为本技术方案提供的包括如图9所示的封装基板的封装结构的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图及多个实施例,对本技术方案提供的封装基板以及封装结构作进一步的详细说明。
请参阅图1,本技术方案第一实施例提供的封装基板10依次包括导电层11、复合材料层12以及金属基板13。所述导电层11具有导电图形111,所述导电图形111用于与封装元件电连接以实现信号传输与处理。所述复合材料层12位于导电层11和金属基板13之间,具有相对且平行的第一表面1201和第二表面1202。所述第一表面1201与金属基板13接触,所述第二表面1202与导电层11相接触。复合材料层12用于将第一表面1201的热量较快地传导至第二表面1202,从而将来自导电图形111和封装元件的热量较快地传导至金属基板13。所述金属基板13由铝、铜等具有较好导热性能的金属材料制成,用于将复合材料层12传导的热量快速散发至外界。
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