[发明专利]铜核层多层封装基板的制作方法

权利要求书

1.一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于至 少包含下列步骤：

(A)提供一铜核基板；

(B)分别于该铜核基板的第一面上形成一第一阻层，以 及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于 其中，该第一阻层上形成数个第一开口；

(C)于数个第一开口下方形成数个第一凹槽；

(D)移除该第一阻层及该第二阻层；

(E)于数个第一凹槽内形成一第一电性阻绝层；

(F)于该铜核基板的第一面与该第一电性阻绝层上形成 一第一介电层及一第一金属层；

(G)于该第一金属层与该第一介电层上形成数个第二开 口，并显露部分的铜核基板第一面； (H)于数个第二开口中及该第一金属层上形成一第二金属 层；

(I)分别于该第二金属层上形成一第三阻层，以及于该 铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第四阻层，于其中， 该第三阻层上形成数个第三开口；

(J)移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层， 并形成一第一线路层；

(K)移除该第三阻层及该第四阻层，至此，完成一具有 铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板，并选择直接 进行步骤(L)或步骤(M)；

(L)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路 层制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，并 且在该第一防焊层上形成数个第四开口，以显露该第一线路层 作为电性连接垫的部分，接着于该铜核基板的第二面上形成一 第五阻层，并且在该第五阻层上形成数个第五开口，之后再分 别于数个第四开口中形成一第一阻障层，以及于第五开口中形 成一第二阻障层，最后移除该第五阻层；以及

(M)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制 作，于其中，在该第一线路层表面形成一第二介电层，并且在 该第二介电层上形成数个第六开口，以显露部分的第一线路 层，接着于该第二介电层与数个第六开口表面形成一第一晶种 层，再分别于该第一晶种层上形成一第六阻层，以及于该铜核 基板的第二面上形成一完全覆盖状的第七阻层，并于该第六阻 层上形成数个第七开口，以显露部分的第一晶种层，之后于该 第七开口中已显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后移 除该第六阻层、该第七阻层及该第一晶种层，以在该第二介电 层上形成一第二线路层，至此，完成一具有铜核基板支撑并具 电性连接的双层增层线路基板，并继续本步骤(M)增加线路 增层结构，形成具更多层的封装基板，亦或直接至该步骤 (L)进行置晶侧与球侧线路层制作。

2.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该铜核基板为一不含介电层材料的铜板。

3.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该第一～七阻层是以贴合、印刷或旋转涂布 所为的干膜或湿膜的高感旋光性光阻。

4.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，数个第一、三、五及七开口以曝光及显影的 方式形成。

5.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该步骤(C)形成数个第一凹槽、该步骤 (J)移除该第一、二金属层及该步骤(M)移除该第一晶种 层的方法为蚀刻。

6.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该第一～七阻层的移除方法为剥离。

7.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该第一电性阻绝层以直接压合或印刷的方式 形成。

8.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于，该第一电性阻绝层及该第一、二介电层为防 焊绿漆、环氧树脂绝缘膜、苯环丁烯、双马来亚酰胺-三氮杂 苯树脂、环氧树脂板、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、环氧树脂或玻 璃纤维其中之一。