[发明专利]具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法

权利要求书

【权利要求1】具有复合电极结构的介电薄膜，包括基片、电极和介电薄膜，其特征在于，所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成，所述金属电极制备在所述基片上，所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上，所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。

【权利要求2】根据权利要求1所述的具有复合电极结构的介电薄膜，其特征在于，所述导电氧化物薄膜具有特定结构取向。

【权利要求3】根据权利要求1或2所述的具有复合电极结构的介电薄膜，其特征在于，所述导电氧化物薄膜具有与所述介电薄膜能够晶格匹配的晶体结构。

【权利要求4】根据权利要求3所述的具有复合电极结构的介电薄膜，其特征在于，所述介电薄膜材料为BST或BZN，所述导电氧化物材料均可采用SrRuO₃或LaNiO₃。

【权利要求5】具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，包括以下步骤：

A、在基片上沉积金属薄膜；

B、在所述金属薄膜上沉积导电金属氧化物薄膜；

C、退火处理；

D、在所述金属氧化物薄膜上沉积介电薄膜；

E、退火处理。

【权利要求6】根据权利要求5所述的具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，其特征在于，步骤A中，金属薄膜厚度为50～1000nm；步骤B中，金属氧化物薄膜厚度为20～100nm；步骤D中，介电薄膜厚度为50～1000nm。

【权利要求7】根据权利要求5所述的具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，其特征在于，步骤A中，先溅射沉积1～50nm厚度的Ti薄膜，然后再溅射沉积Pt薄膜；工艺条件是：0.1～2Pa的Ar气氛，基片温度为：室温～650℃。

【权利要求8】根据权利要求5所述的具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，其特征在于，步骤C中，工艺条件是：10³～10⁵Pa的O₂气氛，退火温度600～800℃，保温时间20～60min。

【权利要求9】根据权利要求5所述的具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，其特征在于，步骤D中，工艺条件是：沉积气压1～10Pa，气氛体积比为：O₂：Ar＝1：10～1：4，衬底温度为：200～600℃。

【权利要求10】根据权利要求5所述的具有复合电极结构的介电薄膜制备方法，其特征在于，步骤E中，工艺条件是：10³～10⁵Pa的O₂气氛，退火温度600～750℃，保温时间30～120min。