[发明专利]宽频带抗反射膜及具有该宽频带抗反射膜的光学元件

权利要求书

1.一种用于光学元件的宽频带抗反射膜，其由所述光学元件表面向远离该光学元件表面的方向依次包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层；所述第一膜层、第三膜层、第五膜层及第七膜层为折射率约为2.3-2.5的低折射率材料层，所述第二膜层、第四膜层及第六膜层为折射率约为1.38-1.46的高折射率材料层；所述第一膜层的膜厚约为0.122d-3.052d，第二膜层的膜厚约为0.267d-0.370d，第三膜层的膜厚约为0.427d-0.610d，第四膜层的膜厚约为0.760d-0.924d，第五膜层的膜厚约为0.305d-0.378d，第六膜层的膜厚约为0.575d-0.718d，第七膜层的膜厚约为1.160d-1.342d，其中，d＝λ/(4n)，λ为约450-600nm的入射光波长，n表示对应膜层的折射率。

2.如权利要求1所述的宽频带抗反射膜，其特征在于，所述高折射率材料选自五氧化三钛、二氧化钛、五氧化二钽等材料中之一种或几种的混合。

3.如权利要求1所述的宽频带抗反射膜，其特征在于，所述低折射率材料为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的宽频带抗反射膜，其特征在于，所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层的厚度依次约为0.244d、0.348d、0.509d、0.812d、0.366d、0.618d、1.318d。

5.如权利要求1所述的宽频带抗反射膜，其特征在于，所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层的厚度依次约为2.685d、0.312d、0.506d、0.869d、0.333d、0.657d、1.221d。

6.如权利要求1所述的宽频带抗反射膜，其特征在于，所述λ为475nm。

7.一种光学元件，其包括一基材及形成于所述基材至少一表面上的宽频带抗反射膜，其特征在于，该宽频带抗反射膜由所述基材表面向远离该基材表面的方向依次包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层；所述第一膜层、第三膜层、第五膜层及第七膜层为折射率约为2.3-2.5的低折射率材料层，所述第二膜层、第四膜层及第六膜层为折射率约为1.38-1.46的高折射率材料层；所述第一膜层的膜厚约为0.122d-3.052d，第二膜层的膜厚约为0.267d-0.370d，第三膜层的膜厚约为0.427d-0.610d，第四膜层的膜厚约为0.760d-0.924d，第五膜层的膜厚约为0.305d-0.378d，第六膜层的膜厚约为0.575d-0.718d，第七膜层的膜厚约为1.160d-1.342d，其中，d＝λ/(4n)，λ为约450-600nm的入射光波长，n表示对应膜层的折射率。

8.如权利要求7所述的光学元件，其特征在于，所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层的厚度依次约为0.244d、0.348d、0.509d、0.812d、0.366d、0.618d、1.318d。

9.如权利要求7所述的光学元件，其特征在于，所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层及第七膜层的厚度依次约为2.685d、0.312d、0.506d、0.869d、0.333d、0.657d、1.221d。

10.如权利要求7所述的光学元件，其特征在于，所述λ为475nm。