[发明专利]用于微波调谐的铋基介质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810306306.4 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101439970A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;李言荣;刘兴钊;陶佰万;陈远富 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 610054四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 微波 调谐 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求1】用于微波调谐的铋基介质材料，所述介质材料具有铋基焦绿石结构，化学组成为Bi1.5MNb1.5O7；其中，M为2价金属阳离子，其特征在于，所述M离子半径小于Zn离子半径。
【权利要求2】根据权利要求1所述的用于微波调谐的铋基介质材料，其特征在于，所述M离子为Mg离子，所述介质材料化学式为Bi1.5MgNb1.5O7。
【权利要求3】根据权利要求1所述的用于微波调谐的铋基介质材料，其特征在于，所述介质材料被制成薄膜。
【权利要求4】用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、配料：将分析纯的Bi2O3、Nb2O5和MgO粉料按摩尔比0.75∶1∶0.75称量并混合均匀；
b、制坯：采用球磨、烘干、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型等陶瓷工艺，制备表面光洁、致密、无裂纹的陶瓷生坯；
c、排胶：将所述陶瓷生坯放入烧结炉中，缓慢升温至350～550℃保温一段时间；
d、烧结成型：继续缓慢升温至900～1100℃保温一段时间后，随炉冷却至室温取出，得到铌酸铋镁陶瓷。
【权利要求5】根据权利要求4所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，步骤c中缓慢升温至450℃保温24h。
【权利要求6】根据权利要求4所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，步骤d中继续缓慢升温至1000℃保温3h后，随炉冷却至室温取出。
【权利要求7】根据权利要求4、5或6所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，还包括步骤：
e、制备介质薄膜：以上述铌酸铋镁陶瓷为靶材，采用射频磁控溅射工艺在衬底上制备铌酸铋镁薄膜。
【权利要求8】根据权利要求7所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，所述衬底为Pt/Al2O3。
【权利要求9】根据权利要求7所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，步骤e中，制备铌酸铋镁薄膜的工艺条件为：
【权利要求10】根据权利要求9所述的用于微波调谐的铋基介质材料制备方法，其特征在于，步骤e中，制备铌酸铋镁薄膜的工艺条件为：
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