[实用新型]一种磁控溅射圆柱靶

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种磁控溅射靶，具体涉及一种磁控溅射圆柱靶。

背景技术

目前国内使用的磁控溅射圆柱靶，在生产中，普遍存在靶管两端的刻蚀速度比靶管中间快，形成深的凹槽现象，造成了靶材的极大浪费。分析溅射过程中，靶管两端的辉光形状，圆弧部分溅射辉光宽度比其他部分宽一倍以上，因此靶管两端的溅射速率高。

发明内容

本实用新型为了解决现有技术中存在的不足，提供了一种能够消除靶管两端刻蚀凹槽，提高靶材利用率的磁控溅射圆柱靶。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种磁控溅射圆柱靶，包括靶的芯铁，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁铁。

所述的强磁铁和弱磁铁两边的凹槽上对应的装有强性磁铁和弱性磁铁。

所述的强性磁铁的长为25mm，宽为6mm，高为11mm，所述的弱性磁铁的长为20mm，宽为6mm，高为11mm。

所述的强磁铁的长为25mm，宽为12mm，高为11mm，所述的弱磁铁的长为20mm，宽为12mm，高为11mm。

与现有技术相比，本实用新型通过改变磁控溅射圆柱靶两端磁场强度，减小磁铁长度，从而改变了磁场的安装形式，解决了磁控溅射圆柱靶的靶材两端溅射后出现凹槽的缺陷，使靶材的利用率由以前的35％提高到70％，同时，延长了靶材更换的周期，降低了劳动强度。

附图说明

图1为本实用新型的单条磁铁的靶芯示意图；

图2为图1的A-A视图；

图3为本实用新型的三条磁铁的靶芯示意图；

图4为图3的A-A视图。

图中：1 强磁铁，2 弱磁铁，3 强性磁铁，4 弱性磁铁，5 芯铁，5.1 凹槽，5.2 小凹槽。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

参见图1和图2，在芯铁5凹槽5.1上装有强磁铁1，强磁铁1两端安装有弱磁铁2。

参见图3和图4，在芯铁5凹槽5.1上装有强磁铁1，强磁铁1两端安装有弱磁铁2；

凹槽5.1两边的小凹槽5.2对应的装有强性磁铁3，弱磁铁2两边的小凹槽5.2对应的装有弱性磁铁4。

所述的强磁铁的长为25mm×12mm×11mm，所述的弱磁铁的的大小为20mm×12mm×11mm。

所述的强性磁铁的大小为25mm×6mm×11mm，所述的弱性磁铁的的大小为20mm×6mm×11mm。

本实用新型在圆柱靶磁铁的安装形式、端部磁场强度的选择以及端部磁铁大小三方面进行改进，以保证圆柱靶在溅射过程中端部刻蚀速度降低，使靶材两端没有凹槽，延长了靶材更换的周期。

以上所述的实施例，只是本实用新型较优选的具体实施方式的一种，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。