[实用新型]掩膜保护装置

说明书

技术领域

本实用新型是有关一种半导体制程中的掩膜保护装置，特别是指其中的掩膜保护框体的附着机构改良，而使污染度降低。

背景技术

近代半导体科技发展迅速，其中光学光刻技术(Optical Lithography)扮演重要的角色，只要是关于图形(pattern)定义，皆需仰赖光刻技术。

光学光刻在半导体的应用上，是将设计好的线路制作成具有特定形状可透光的掩膜(photo mask)。利用曝光原理，则光源通过掩膜投影至硅晶片(siliconwafer)可曝光显示特定图案。由于任何附着于掩膜上的尘埃颗粒(如微粒、粉尘或有机物)都会造成投影成像的品质劣化，用于产生图形的掩膜必须保持绝对洁净，因此在一般的晶片制程中，都提供无尘室(cleanroom)的环境以避免空气中的颗粒污染。然而，目前的无尘室也无法达到绝对无尘状态，因此目前掩膜的使用是设置掩膜保护框体于掩膜上方，使掩膜保持洁净，由于光线是依据掩膜位置进行聚焦(focus)，即便有微粒沉积于掩膜保护框体上，其形成的离焦(defocus)影像对于图形成像品质的不良影响也较小。

先前技术中，美国专利第6083577号是使用粘着剂组合成掩膜保护框体，固定于掩膜上使其保持气体通透与无尘环境；中国台湾专利第454104号则是使用圆桶形状压敏粘着剂将掩膜保护框体固定于掩膜上，可避免空气间隙产生，并设置一设有滤片的空气溢路穿孔以维持框体内外压力平衡。然以上方法所使用的粘着剂亦是污染微粒制造来源，会使制程品质下降。

中国台湾专利申请第200523691号则是在掩膜保护框体的上设置一浮动透光胶卷，胶卷的浮动会根据内外压差进行伸缩调整，此方法可维持框体内的气密，并补偿压力上的变化。然浮动透光胶卷的伸缩会造成不必要的阴影，在曝光制程上增加原本没有的缺点。

有鉴于以上缺点，本实用新型所提供的掩膜保护装置，乃针对先前技术加以改良。

实用新型内容

基于解决上述先前技术的缺点，本实用新型所提供的掩膜保护装置可避免使用粘着剂所产生的微粒污染。

本实用新型的一目的在于提供一掩膜保护装置，是可阻绝污染微粒沉积或附着于掩膜表面，提升掩膜表面的洁净度，提升产品良率。

本实用新型的另一目的在于提供一不产生污染微粒的的掩膜保护装置，无需涂附粘着剂于框体与掩膜的接触面，可避免粘着剂挥发或摩擦所产生的微粒造成掩膜污染。

本实用新型所提供的一种掩膜保护装置，其包含一框体，该框体是由一中空结构所形成，该掩膜保护装置的特征在于：

该框体与掩膜接触的表面上配置有至少一凹槽且于该框体的一端上设置一贯穿该框体及该凹槽的贯穿孔。

其中进一步包含一弹性组件，是配置于该凹槽中。

其中该弹性组件为一种O型环结构。

其中该弹性组件为一环状的矩型结构，且构成该环状矩形结构的四边为一中空形态。

其中该弹性组件为一高分子材料。

其中该贯穿孔的一端上还配置一气阀开关。

其中还配置一泵与该贯穿孔的一端连接。

其中该框体与掩膜接触的表面是经过阳极处理。

本实用新型提供一种掩膜保护装置，其包含一框体，该掩膜保护装置的特征在于：该框体是由气压差与掩膜接合。

其中该框体具有一贯穿孔。

其中该贯穿孔可连通该掩膜保护装置的内部与外部。

其中该贯穿孔的一端上还配置一气阀开关。

其中还配置一泵与该贯穿孔的一端连接。

其中进一步包含一掩膜保护膜。

其中该框体与掩膜接触的表面是经过阳极处理。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的掩膜保护装置，是可阻绝污染微粒沉积或附着于掩膜表面，提升掩膜表面的洁净度，提升产品良率。

本实用新型的掩膜保护装置，提供一不产生污染微粒的掩膜保护装置，无需涂附粘着剂于框体与掩膜的接触面，可避免粘着剂挥发或摩擦所产生的微粒造成掩膜污染。

附图说明

为使审查员方便简捷了解本实用新型的其它特征内容与优点及其所达成的功效能够更为显现，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：

图1是一立体图，是本实用新型的掩膜保护装置一较佳实施例的框体。

图2是一示意图，是本实用新型一较佳实施例的贯穿孔与凹槽的剖面图。

图3是一示意图，是本实用新型一较佳实施例的贯穿孔、凹槽与气阀开关的连接关系。