[实用新型]发光二极管组合结构无效

专利信息
申请号: 200820009118.0 申请日: 2008-04-02
公开(公告)号: CN201180947Y 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 熊麒 申请(专利权)人: 林文钦
主分类号: F21V19/00 分类号: F21V19/00;F21V29/00;H01L23/367;F21Y101/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 许静
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 组合 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管组合结构,特别指一种利用高导热系数的散热基座提供高热量传输路径的发光二极管组合结构。

背景技术

发光二极管(Ligh Emitting Diode,LED)已成为未来照明时代众所瞩目的应用产品,为了提升亮度,由电能转换为发光的效率成为首要课题,目前在低功率的发光二极管发光效率约为64%;而在高功率的发光二极管应用上,仅有15~20%的输入功率产生光,却有80%以上的能量用于产生热量,而热对发光二极管本身又将造成不可预期的损害,若组件无法散去这些高热,除了各种封装材料会因为彼此间膨胀系数的不同而有产品可靠度的问题,例如环氧树脂的封装达到玻璃转移温度时,树脂材料会很快速的膨胀,在半导体与焊点接触的位置产生应力,导致连接点的变形或断裂;同时发光二极管晶粒温度上升也将对于发光效率及组件寿命造成极大影响。目前在高亮度发光二极管的应用上,研究发光二极管散热系统是很重要的技术方向。

然而,另一方面,降低发光二极管界面温度更可以提高发光二极管组件色彩稳定度、组件使用寿命以及加强光输出强度等优势,故解决发光二极管散热问题实为发光二极管产业进一步发展的一大技术瓶颈。

最初的单芯片发光二极管的功率不高,发热量有限,热的问题不大,因此其封装方式相对简单。但近年随着发光二极管材料技术的不断突破,发光二极管的封装技术也随之改变,从早期单芯片的炮弹型封装逐渐发展成扁平化、大面积的多芯片封装模块;其工作电流由早期20mA左右的低功率的发光二极管,发展到目前的1/3至1A左右的高功率的发光二极管。由于高亮度、高功率发光二极管系统所衍生的热问题将是影响产品功能优劣的关键,要将发光二极管组件的发热量迅速排出至周遭环境,首先必须从封装层的热管理着手,而目前业界的作法是将发光二极管晶粒以焊料或导热膏接着在一均热片上,经由均热片降低封装模块的热阻抗;或是通过散热片、热管、风扇及热界面材料所组成的气冷模块将热量导出。然而上述现有构造在实际使用时,仍具有以下缺点:

1、高单价及可靠度的问题;以及

2、风扇耗电及噪音等问题。

故本实用新型的发明人有鉴于上述现有的发光二极管的散热系统在实际使用时的缺点,且积累个人从事相关产业开发实务上多年的经验,精心研究,终于提出一种设计合理且有效改善上述问题的发光二极管组合结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管组合结构,通过高导热系数的散热基座直接接触在发光二极管单元,以提供快速导出热量的要求。

为了达到上述目的,本实用新型提供一种发光二极管组合结构,包括:多个发光二极管单元;一电路基板,具有多个穿孔,所述发光二极管单元穿设于所述穿孔中;以及一设置在所述电路基板下方的散热基座,所述散热基座上表面凸设有多个对应于所述发光二极管单元的凸块,每一凸块顶抵在相对应的发光二极管单元。

为了达到上述目的,本实用新型还提供一种发光二极管组合结构,包括:多个发光二极管单元;两个长条形的电路基板,所述发光二极管单元跨接在所述电路基板;以及一散热基座,所述散热基座上表面凸设置有一对应于所述发光二极管单元的长条形凸块,所述长条形凸块顶抵在所述发光二极管单元。

本实用新型具有以下有益效果:本实用新型提出的发光二极管组合结构,可利用散热基座提供快速的导热模式,用于迅速将发光二极管所产生的热量由系统中导出。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1为本实用新型的发光二极管组合结构的第一实施例的分解示意图;

图2为本实用新型的发光二极管组合结构的第一实施例的侧视图;

图3为本实用新型的发光二极管组合结构的第二实施例的分解示意图;

图4为本实用新型的发光二极管组合结构的第二实施例的侧视图。

主要组件符号说明

发光二极管组合结构1

发光二极管单元10

导线支架101

电路基板11、11A、11B

穿孔111

导电线路112

散热基座12

凸块121

长条形凸块121A

散热结构122

侧部123

反光杯单元13

具体实施方式

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