[实用新型]陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件有效

专利信息
申请号: 200820028674.2 申请日: 2008-03-20
公开(公告)号: CN201174556Y 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 张小奇;张军辉;马力祯;韩少斐 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H02G3/22 分类号: H02G3/22
代理公司: 兰州振华专利代理有限责任公司 代理人: 张真
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 金属 高压 真空 穿墙
【说明书】:

技术领域:

实用新型主要涉及电真空领域,在真空情况下的电功率馈人器件。

背景技术:

目前在电真空领域的穿墙件中,传递弱电流或低电压信号的器件应用广泛,比较成熟,种类也很多,如单芯的、多芯的等等。如果期望通过对现有器件的简单放大,来达到传递大电流或高电压的目的,涉及很多无法解决的工艺问题,不可行。因此研制这样器件显得十分有意义,解决在真空情况下大的电功率馈人问题。

实用新型内容:

本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,具有低电感、高耐压、大电流、高真空、体积小的特点。

本实用新型的目的可以通过采用以下技术方案来实现:一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,包括有内导体(7),其两端为电缆接线端,外部设有内陶瓷绝缘套(6),其主要特点在于:在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5),在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3),真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环,并与之相连接。

所述的陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,所述的接地导体(2)、外导体大环(4)和外导体小环(5)为一端是平面的开口匡形,开口匡形的封闭端面在一个平面上。

本实用新型的有益效果是:外导体大环(4)和外导体小环(5)与内导体(7)之间的耐压可达到60KV以上;真空法兰(1)和接地导体(2)与外导体大环(4)和外导体小环(5)之间的耐压可达到20KV以上;整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10-10Pa·l/s;电感值实测为0.08μH;大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。

附图说明:

图1为本实用新型的结构示意图

1-真空法兰    2-接地导体    3-外陶瓷绝缘环     4-外导体大环

5-外导体小环   6-内陶瓷绝缘套   7-内导体

具体实施方式:

以下结合附图所示之最佳实施例作进一步详述:

实施例1:见图1,一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,包括有内导体7,其两端为电缆接线端,外部设有内陶瓷绝缘套6,在内陶瓷绝缘套6的外部设有相固连的外导体大环4和外导体小环5,在外导体大环4与接地导体2之间设有外陶瓷绝缘环3,真空法兰1设于接地导体2的外环,并与之相连接。所述的接地导体2、外导体大环4和外导体小环5为一端是平面的开口匡形,开口匡形的封闭端面在一个平面上。

生产时,接地导体2与外陶瓷绝缘环3与外导体大环4之间进行陶瓷-金属封接;外导体小环5与内陶瓷绝缘套6与内导体7之间进行陶瓷-金属封接;最后将真空法兰1与上述两组陶瓷-金属封接件之间氩弧焊焊接为一体。

使用时,将真空法兰1连结于大气与真空的隔离“墙”上,“墙”内外的电缆接线分别与内导体7两端相连接,实现一路馈入;外导体大环4和外导体小环5可以实现另一路馈入;接地导体2可以保证整个装置良好地接地性能。

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