[实用新型]带有多晶硅场板的功率MOS场效应管

权利要求书

1、一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，在俯视平面上，该器件中间为并联的单胞阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，其特征在于：

在俯视平面上，所述终端保护结构由一个场限环、一个场板和一个截止环组成，从单胞阵列的边缘单胞外围开始，终端保护结构由内向外按场限环、场板、截止环次序设置，而且边缘单胞外围直接连接场限环；

在截面上，场限环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部；

在截面上，场板由栅氧化硅层和导电多晶硅叠加构成，栅氧化硅层位于半导体硅片的第一导电类型外延层表面上，导电多晶硅位于栅氧化硅层上；

在截面上，截止环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，金属层将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区连接成等电位；

在截面上，场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第二导电类型杂质掺杂深度相同；场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第一导电类型杂质掺杂深度相同；场板中的导电多晶硅位于场限环与截止环之间区域的上方，并作为第一导电类型和第二导电类型杂质离子注入的阻挡层。

2、一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，在俯视平面上，该器件中间为并联的单胞阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，其特征在于：

在俯视平面上，所述终端保护结构由至少两个场限环、与场限环数量相同的场板和一个截止环组成，从单胞阵列的边缘单胞外围开始，终端保护结构由内向外按场限环、场板、场限环、场板，最后为截止环的规律设置，而且边缘单胞外围直接连接场限环；

在截面上，场限环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部；

在截面上，场板由栅氧化硅层和导电多晶硅叠加构成，栅氧化硅层位于半导体硅片的第一导电类型外延层表面上，导电多晶硅位于栅氧化硅层上；

在截面上，截止环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，金属层将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区连接成等电位；

在截面上，场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第二导电类型杂质掺杂深度相同；场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第一导电类型杂质掺杂深度相同；场板中的导电多晶硅位于两个相邻场限环以及场限环与截止环之间区域的上方，并作为第一导电类型和第二导电类型杂质离子注入的阻挡层。