[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管

权利要求书

1、一种功率沟槽式MOS场效应管，在俯视平面上，该器件中间为并联的单胞阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，其特征在于：

在俯视平面上，所述终端保护结构由一个场限环、一个场板和一个截止环组成，从单胞阵列的边缘单胞外围开始，终端保护结构由内向外按场限环、场板、截止环次序设置，而且边缘单胞外围直接连接场限环；

在截面上，场限环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部；

在截面上，场板由氧化硅层和场板区金属层构成，其中，氧化硅层分为场氧化硅层和介质层两层，场氧化硅层位于半导体硅片的第一导电类型外延层表面上，介质层覆盖在场氧化硅层之上，场板区金属层位于介质层之上；

在截面上，截止环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，截止环区金属层将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区连接成等电位；

在截面上，场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第二导电类型杂质掺杂深度相同；场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第一导电类型杂质掺杂深度相同；场板中的场氧化硅层位于场限环与截止环之间区域的上方，并作为第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层。

2、一种功率沟槽式MOS场效应管，在俯视平面上，该器件中间为并联的单胞阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，其特征在于：

在俯视平面上，所述终端保护结构由至少两个场限环、与场限环数量相同的场板和一个截止环组成，从单胞阵列的边缘单胞外围开始，终端保护结构由内向外按场限环、场板、场限环、场板，最后为截止环的规律设置，而且边缘单胞外围直接连接场限环；

在截面上，场限环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部；

在截面上，场板由氧化硅层和场板区金属层构成，其中，氧化硅层分为场氧化硅层和介质层两层，场氧化硅层位于半导体硅片的第一导电类型外延层表面上，介质层覆盖在场氧化硅层之上，场板区金属层位于介质层之上；

在截面上，截止环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，截止环区金属层将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区连接成等电位；

在截面上，场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第二导电类型杂质掺杂深度相同；场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第一导电类型杂质掺杂深度相同；场板中的场氧化硅层位于场限环与截止环之间区域的上方，并作为第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层。

3、根据权利要求1或2所述功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：场板区金属层自单胞阵列外围开始到截止环上方的场氧化硅层为止，连续的或分段的覆盖在所有场限环和场板的上方。

4、根据权利要求1或2所述功率沟槽式MOS场效应管的制造方法，其特征在于：

所述场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区，由同一个第二导电类型掺杂过程形成；

所述场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区，由同一个第一导电类型掺杂过程形成；

所述场板中的场氧化硅层在第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子注入之前形成，并作为终端保护区域第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层；

所述场限环、场板、截止环和单胞阵列三者各自区域中的介质层和金属层分别为同一制造层。