[实用新型]一种新型磁路结构考夫曼型离子源无效

专利信息
申请号: 200820037173.0 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN201207370Y 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 陈长琦;张建国;干蜀毅;朱仁胜;郭江涛 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01J27/02 分类号: H01J27/02;H01J37/08
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 何梅生
地址: 230009*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 磁路 结构 考夫曼型 离子源
【权利要求书】:

1、一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管(21)、阴极丝(24)、加速栅(10)和屏栅(9)构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管(21),所述单筒状阳极管(21)固定设置在位于在离子源放电室底部的基底法兰(26)上,阴极丝(24)位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管(21)外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。

2、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是所述磁靴组件设置为由导磁隔板(33)和连接在导磁隔板(33)外周磁靴外圈(34)构成横置的“工”字形结构,其中,与阳极管(21)接触的导磁隔板(33)为导磁不导电材质,外磁靴外圈(34)为不导磁材质。

3、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述阳极管(21)的顶部设置顶端法兰(5),所述顶端法兰(5)与基底法兰(26)之间是以长螺栓(2)连接构成离子源放电室支架,位于阳极管(21)上方的加速栅(10)和屏栅(9)分别设置在顶端法兰(5)上。

4、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述基底法兰(26)的外周设置屏蔽罩(32),中和灯丝(13)固定设置在屏蔽罩(32)的顶端。

5、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述离子源放电室的外侧设置水冷套筒(4)。

6、根据权利要求5所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述顶端法兰(5)的下表面设置有圆环形凹槽,冷却水套筒(4)嵌装于圆环形凹槽中,与冷却水套筒(4)贯通的冷却水的进水管(27)和出水管(31)穿过基底法兰(26)而设置。

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