[实用新型]一种新型磁路结构考夫曼型离子源无效
申请号: | 200820037173.0 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN201207370Y | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 陈长琦;张建国;干蜀毅;朱仁胜;郭江涛 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01J27/02 | 分类号: | H01J27/02;H01J37/08 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 磁路 结构 考夫曼型 离子源 | ||
1、一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管(21)、阴极丝(24)、加速栅(10)和屏栅(9)构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管(21),所述单筒状阳极管(21)固定设置在位于在离子源放电室底部的基底法兰(26)上,阴极丝(24)位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管(21)外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。
2、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是所述磁靴组件设置为由导磁隔板(33)和连接在导磁隔板(33)外周磁靴外圈(34)构成横置的“工”字形结构,其中,与阳极管(21)接触的导磁隔板(33)为导磁不导电材质,外磁靴外圈(34)为不导磁材质。
3、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述阳极管(21)的顶部设置顶端法兰(5),所述顶端法兰(5)与基底法兰(26)之间是以长螺栓(2)连接构成离子源放电室支架,位于阳极管(21)上方的加速栅(10)和屏栅(9)分别设置在顶端法兰(5)上。
4、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述基底法兰(26)的外周设置屏蔽罩(32),中和灯丝(13)固定设置在屏蔽罩(32)的顶端。
5、根据权利要求1所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述离子源放电室的外侧设置水冷套筒(4)。
6、根据权利要求5所述的新型磁路结构考夫曼型离子源,其特征是在所述顶端法兰(5)的下表面设置有圆环形凹槽,冷却水套筒(4)嵌装于圆环形凹槽中,与冷却水套筒(4)贯通的冷却水的进水管(27)和出水管(31)穿过基底法兰(26)而设置。
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