[实用新型]旋转形GaN基LED芯片电极

权利要求书

1、一种旋转形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，在P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘之间分布着相互平行的P型和N型条形电极，N型电极还包括顺时针和逆时针向的两条旋转形条形电极，在两条旋转形条形电极之间分布着顺时针向的P型条形电极，且各条形电极都平行于芯片边缘。

2、根据权利要求1所述的旋转形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述的N型电极包括自N型焊盘沿芯片一侧边缘的条形电极；自N型焊盘沿芯片相邻一侧边缘且呈逆时针向旋转的条形电极；自N型焊盘于芯片中央部位、平行于芯片边缘且呈顺时针向旋转的条形电极。

3、根据权利要求1所述的旋转形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述的P型电极包括自P型焊盘平行于芯片一侧边缘的条形电极；自P型焊盘平行于芯片相邻一侧、在N型条形电极内侧的且与其平行的呈顺时针向旋转的条形电极。

4、根据权利要求1所述的旋转形GaN基LED芯片电极，其特征是，P型电极和N型电极的形状亦可互换，N型电极淀积在相应形状的沟槽内。

5、根据权利要求1所述的旋转形GaN基LED芯片电极，其特征是，P型电极和N型电极的形状亦可作镜像变换，N型电极淀积在相应形状的沟槽内。