[实用新型]中心环绕形GaN基LED芯片电极无效
| 申请号： | 200820039407.5 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN201282152Y | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 曾祥华;张俊兵 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中心 环绕 gan led 芯片 电极 | ||
【权利要求书】：
1、一种中心环绕形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，N型电极的N型焊盘设置在芯片中心，自N型焊盘的N型条形电极沿对角线至顶角后分别沿芯片边缘延伸靠近至P型焊盘，P型电极的P型焊盘设置在芯片N型焊盘沿对角线的N型条形电极的反向顶角部，自P型焊盘的两条P型条形电极与N型焊盘及沿对角线的N型条形电极平行。
2、根据权利要求1所述的中心环绕形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述的P型条形电极包括沿对角线呈对称分布的平行于对角线的条形电极，以及沿芯片N型焊盘边缘的条形电极。
3、根据权利要求1所述的中心环绕形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述的N型条形电极包括芯片四周边缘的条形电极，以及沿对角线向延伸到中心N型焊盘的条形电极。
4、根据权利要求1所述的中心环绕形GaN基LED芯片电极，其特征是，P型电极和N型电极的形状亦可互换，N型电极淀积在相应形状的沟槽内。
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