[实用新型]一种锂电池保护电路有效

专利信息
申请号: 200820040359.1 申请日: 2008-07-15
公开(公告)号: CN201215817Y 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 袁川 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01M2/34 分类号: H01M2/34;H02H7/18
代理公司: 南京知识律师事务所 代理人: 樊文红
地址: 214061*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 保护 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路,更具体地说涉及一种锂离子电池的保护电路。

背景技术

一般而言,锂离子电池有三部分构成:1.锂离子电芯2.保护电路(PCM)3.外壳。锂离子电芯的负极为石墨晶体,正极通常为二氧化锂。充电时锂离子由正极向负极运动而嵌入石墨层中。放电时,锂离子从石墨晶体内负极表面脱离移向正极。所以,在该电池充放电过程中锂总是以锂离子形态出现,而不是以金属锂的形态出现。因而这种电池叫做锂离子电池,简称锂电池。锂电池具有:体积小、容量大、重量轻、无污染、单节电压高、自放电率低、电池循环次数多等优点,锂电池的充放电有一定的要求,根据锂电池的结构特性,最高充电终止电压应为4.2V,不能过充,否则会因正极的锂离子拿走太多,而使电池报废。因锂电池的内部结构所致,放电时锂离子不能全部移向正极,必须保留一部分锂离子在负极,以保证在下次充电时锂离子能够畅通地嵌入通道。否则,电池寿命就相应缩短。为了保证石墨层中放电后留有部分锂离子,就要严格限制放电终止最低电压,也就是说锂电池不能过放电。为了达到锂离子电芯的充放电要求,锂电池都配有保护电路,用于控制外部的充放电电流。

如图1所示,现有的锂电池保护电路一般由两个场效应管和保护集成块组成,过充电控制管M1和过放电控制管M2串联于电路,由保护IC监视电池电压并进行控制,保护集成块中包括过充电保护电路,过放电保护电路和过电流保护电路。保护IC检测电池电压,当电池电压上升至电池过充点(假定为4.2V)时,启动过度充电保护,过充电保护管M1截止,停止充电。当电池处于放电状态下,保护IC检测电池电压,电池电压降至其过放电电压检测点(假定为2.55V)时,启动过放电保护,过放电控制管M2截止,停止向负载供电,当锂电池接上充电器,且此时锂电池电压高于过度放电电压时,过度放电保护功能方可解除。过电流保护是在当负载上有较大电流流过时,控制M2使其截止,停止向负载放电,目的是为了保护电池和场效应管。过电流检测是利用场效应管的导通电阻作为检测电阻,监视它的电压降,当电压降超过设定值时就停止放电。

当用不同电压规格的充电器给锂电池充电时,保护IC在VDD—V-端的会加载到不同的电压范围。如果用高压充电器给电池充电,电池充饱后保护IC的V-脚会有较高的负电压,如果保护IC内部的MOSFET晶体管按照低电压(5V及其5V以下)工艺设计,其栅极的耐压值不够。通常的设计是对保护IC内部与V-脚相连接的MOS采用高压管,这样就不能使用普通的5V及其5V以下的CMOS工艺来生产保护IC,而必须采用更高耐压的工艺,增大了成本。即保护IC在VDD—V-端的耐压值限制了锂电池在不同规格的充电器的使用范围,如果按照低电压工艺设计的保护IC在VDD—V-端的耐压能够大于12V或以上高压,其应用范围将扩大,使得锂电池的成本降低。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种锂电池保护电路,该电路采用低电压(5V及其5V以下)工艺制造的CMOS集成电路块,其VDD—V-端具有18V以上耐压,该电路既能在5V耐压中使用又能在高压中使用,使锂电池的制造成本降低。

实现上述发明目的的技术方案是:一种锂电池保护电路,由过充电控制管、过放电控制管和保护IC(即:保护集成块)组成,所述过充电控制管和过放电控制管由保护IC监视电池电压并进行控制,所述保护IC为CMOS集成电路块,其中包括过充电保护电路,过放电保护电路和过电流保护电路,所述保护IC中,在输出负极和与输出负极连接的MOS晶体管的栅极之间设有钳位电路,在输出负极的电压在较大范围内变化时,钳位电路承受大部分的负压,使得MOS晶体管的栅极承受电压限制在-3V以内,并且不影响所述过充电保护电路,过放电保护电路和过电流保护电路的功能。

上述钳位电路的功能可以采用多种结构形式实现。

作为钳位电路的一种具体实现,该电路由控制电路和分压电路组成,控制电路和分压电路串联;控制电路根据输出负极的电压控制钳位电路的开启,分压电路用于承受负压。

本实用新型通过在保护IC的输出负极和内部MOS晶体管的栅极之间加设钳位电路,MOS晶体管的栅极与钳位电路的电压控制点连接,钳位电路将电压控制点的电压控制在-2.5V以内,使得MOS晶体管的栅极不需要承受高压,解决了保护IC输出负极V-的MOSFET晶体管栅极耐压值不够的问题,这样使用普通的5V及其5V以下的CMOS工艺生产出来的保护IC,就能够用于在锂电池使用不同电压规格的充电器充电时的保护。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820040359.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top