[实用新型]自激励多频振荡器有效
| 申请号： | 200820042571.1 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN201150048Y | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 史谦 | 申请（专利权）人： | 珠海中慧微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/20 | 分类号： | H03B5/20 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519020广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激励 振荡器 | ||
【权利要求书】：
1、一种自激励多频振荡器，包括主要由反向器U1、U2、电阻R2、电容C构成的振荡回路，其特征在于：所述振荡回路还包括一端与反向器U2输入端连接，另一端与电阻R2连接的电阻R1，所述电阻R2由一个处于亚阈值偏置状态的MOSFET形成。
2、根据权利要求1所述的自激励多频振荡器，其特征在于：所述电阻R1主要由一个处于亚阈值偏置状态的MOSFET形成。
3、根据权利要求1或2所述的自激励多频振荡器，其特征在于：还包括输出端与MOSFET栅极连接的稳压器。
4、根据权利要求1所述的自激励多频振荡器，其特征在于：还包括稳压二极管D1、D2、D3、D4，其中二极管D1连接于电源及反向器U1的输入端之间，二极管D2一端连接于电阻R2及电容C的连接点，另一端与电源连接，二极管D3一端接地，另一端与电阻R1连接，二极管D4一端与电阻R2及电容C的连接点连接，一端接地。
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