[实用新型]电磁炉功率晶体管的检测保护电路有效

专利信息
申请号: 200820043838.9 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN201167231Y 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 毛宏建;陈永顺;陈艳 申请(专利权)人: 美的集团有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H7/122
代理公司: 佛山市科顺专利事务所 代理人: 梁红缨
地址: 528311广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电磁炉 功率 晶体管 检测 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电磁炉功率晶体管的检测保护电路,通过对流经功率晶体管的峰值电流进行逐周期的检测以达到保护功率晶体管的目的,属于电磁炉功率晶体管的检测保护电路创新技术。

背景技术

目前市场上出售的电磁炉,其主要电路中一般包括有功率晶体管的检测保护电路,该检测保护电路原理框图如图3所示:包括整流电路、谐振电路、取样电路、比较电路和驱动电路,其中取样电路的输入端与市电连接,其输出端与比较电路输入端连接,比较电路输出端与驱动电路输入端连接,驱动电路输出端与谐振电路输入端连接,谐振电路输出端与取样电路的输入端连接,由于取样电路输入端是直接与市电连通的,因此是直接通过检测市电回路中的电压信号变化情况进行检测与保护功率晶体管,换言之,整个电路检测的对象是50HZ的电压信号,而市电回路中50HZ的电压信号频率远远低于功率晶体管(IGBT)工作时的信号频率,这种检测保护电路在功率晶体管(IGBT)每次开通时,无法实现对流经功率晶体管(IGBT)C极与E极的电流进行可靠的检测,从而在功率晶体管(IGBT)上易出现开关电流过大,容易导致炸功率晶体管(IGBT)的现象发生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述缺点而提供一种可以直接对功率晶体管(IGBT)峰值电流进行逐周期检测与保护的电磁炉功率晶体管的检测保护电路。

本实用新型的技术方案是:包括有谐振电路、取样电路、调理电路、比较电路和驱动电路,其中所述取样电路的输入端与谐振电路的功率晶体管E极连接,取样电路的输出端与调理电路的输入端连接,调理电路的输出端与比较电路的输入端连接,比较电路的输出端与功率晶体管的驱动电路输入端连接,驱动电路的输出端与谐振电路的功率晶体管G极连接。

所述取样电路是康铜丝或电流互感器或电阻。

所述调理电路可以是分立器件组成电路,也可以是集成电路。

所述调理电路采用集成电路,包括二极管D1、电容C1、电阻R1、R2、R3和运算放大器U1,其中电阻R1的一端与取样电路的一端连接,另一端与二极管D1的正极、放大器U1的正极及电容C1的一端连接,二极管D1的负极、电容C1的另一端接地,电阻R3串联在运算放大器U1的负极和地之间,电阻R2并联在运算放大器U1的负极与输出端之间。

所述比较电路包括比较器A1,电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10,二极管D2,电容C2、C3、C4,其中电阻R4的一端与调理电路的输出端连接,电阻R4的另一端、电阻R5的一端及电容C2的一端与比较器A1的正极连接,电阻R7的一端、二极管D2的负极与+5V电源连接,电阻R8的一端及电容C4的一端接地,电阻R7的另一端、二极管D2的正极、电阻R8的另一端及电容C4的另一端与比较器A1的负极及电容C2的另一端连接,电阻R5的另一端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端接地,电容C3的一端、电阻R9的一端及电阻R10的一端分别与比较器A1的输出端连接,电容C3的另一端连接在电阻R5及电阻R6之间,电阻R9的另一端与+18V电源连接,电阻R10的另一端与功率晶体管的驱动电路输入端连接。

本实用新型由于采用取样电路的输入端与谐振电路的功率晶体管E极连接,取样电路的输出端与调理电路的输入端连接,调理电路的输出端与比较电路的输入端连接,比较电路的输出端与功率晶体管的驱动电路输入端连接,驱动电路的输出端与谐振电路的功率晶体管G极连接的结构,电磁炉工作时,谐振电路进入谐振工作状态,连接在功率晶体管E极的取样电路两端即产生20~30KHZ的三角波信号,此信号经过调理电路限流、限幅及进行运算放大,通过比较电路进行信号峰值的比较,传送到功率晶体管驱动电路中,由功率晶体管驱动电路控制功率谐振电路中功率晶体管的开通及关断,从而达到保护功率晶体管的目的,因此,其可以对流经功率晶体管的C极与E极的电流进行可靠的检测,避免功率晶体管的开关电流过大,导致炸功率晶体管的现象发生。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理框图。

图2为本实用新型的电路原理图。

图3现有技术的电路原理框图。

实施例

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