[实用新型]一种高速高可靠性电子器件存储设备有效
| 申请号： | 200820053385.8 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN201219033Y | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 孙文德 | 申请（专利权）人： | 长城信息产业股份有限公司;长沙湘计海盾科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜 勇 |
| 地址： | 410000湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 可靠性 电子器件 存储 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，包括高速接口控制器、中央处理器、电子存储器件控制器、电子存储器件；高速接口控制器一端连接中央处理器，另一端通过连接器与外部的高速接口设备相连；电子存储器件控制器的一端接中央处理器，另一端接电子存储器件。
2.如权利有要求1所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，所述的高速接口为InfiniBand或RapidIO接口。
3.如权利有要求1所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，还包括随机存储器，该随机存储器连接中央处理器。
4.如权利有要求1所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，还包括存储器，该存储器连接中央处理器。
5.如权利有要求1所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，所述的存储器为闪速存储器、ROM或RAM。
6.如权利有要求1～5任一项所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，中央处理器包括一坏区校验控制单元。
7.如权利有要求6所述的一种高速高可靠性电子器件存储设备，其特征在于，所述的坏区校验控制单元为ECC、XOR或RAID算法控制单元。
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