[实用新型]闪存微控制器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种闪存特制器，尤其涉及一种能够对系统电压进行监控的闪存微控制器。

背景技术

闪存微控制器是一种具有闪速存储器(以下简称：Flash)的微控制器(Micro Controller Unit，以下简称：MCU)。随着集成电路生产工艺的不断进步，MCU的集成度越来越高。为了进一步提高MCU的集成度，0.35微米、0.25微米甚至更小特征尺寸的工艺被不断采用。同时，为了降低系统功耗，现有的Flash存储器通常采用2.5V甚至更低的工作电压。现有闪存微控制器提供的系统电压通常为5V，高于Flash存储器的2.5V的工作电压。因此，为了使Flash存储器正常工作，需要将5V的系统电压转换为2.5V的Flash存储器的工作电压。

现有技术的缺陷在于：MCU的集成度越高，则系统电压就越容易受到电磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility，以下简称：EMC)干扰或其他外部干扰的影响，使系统电压可能会低于正常值，进而使Flash存储器的工作电压也低于正常值，从而影响了Flash存储器的正常工作。例如，电子产品的开关、各种辐射或无线电波均会给MCU的电源系统带来噪声，使系统电压发生过冲下降，造成电源电压的波动较大，闪存微控制器无法正常运行。而在现有技术中没有采取对系统电压进行有效检测的措施，因此影响了Flash存储器和闪存微控制器的工作性能。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是：提供一种能够对系统电压进行监控的闪存微控制器。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种闪存微控制器，包括Flash存储器和外设单元，其中还包括：

内核单元，与所述Flash存储器和所述外设单元相连，用于当接收到低电压检测信号后，将所述Flash存储器中的用户程序区所对应的程序计数器的内容进行保持，并向所述外设单元发送复位或中断信号；

滤波单元，与所述内核单元相连，用于对接收到的低电压检测信号进行滤波，当所述低电压检测信号的信号宽度大于预设的宽度阈值时，向所述内核单元发送低电压检测信号；及

低电压检测单元，与所述滤波单元相连，用于对所述闪存微控制器的系统电压进行检测，当检测到所述系统电压低于预设的电压阈值时发出低电压检测信号。

通过本实用新型述闪存微控制器，由于对系统电压进行了监控，因此在受到EMC干扰或其他外部干扰的影响时，仍然能够保证Flash存储器及闪存微控制器的正常工作，从而提高了高集成度MCU的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述闪存微控制器的结构示意图；

图2为本实用新型实施例所述的电压阈值的设置示意图；

图3为图1中所示内核单元的结构示意图。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

具体实施方式

本实施例提供了一种闪存微控制器，如图1所示，包括Flash存储器40和外设单元50，并且还包括：低电压检测单元10，滤波单元20及内核单元30。其工作原理如下：

低电压检测单元10对该闪存微控制器的系统电压进行检测，当检测到该系统电压低于预设的电压阈值时，发出LVD信号。具体地，LVD信号可以为采用脉冲形式的LVD信号脉冲或采用电平形式的LVD信号电平。

其中，系统电压是闪存微控制器的，总工作电压。当为Flash存储器40供电时，需要将系统电压转换为Flash存储器的工作电压。电压阈值是为了保证闪存微控制器各部件(包括FLASH存储器)正常工作而预设的下限阈值，即如果系统电压低于该电压阈值则Flash存储器等部件可能无法正常工作。一般地，电压阈值应大于闪存微控制器可以正常工作的最小电压值且小于系统工作电压的正常值。如图2所示，系统电压由于受到干扰而发生了电压波动，闪存微控制器可以正常工作的最小电压值为2.5V，系统的工作电压的正常值为5.0V，则电压阈值可以设置为3.5V。

滤波单元20对来自于低电压检测单元10的LVD信号进行滤波，当LVD信号的信号宽度大于预设的宽度阈值时，向内核单元30发送LVD信号。

其中，设置滤波单元20是为了过滤掉脉冲较短的毛刺信号，以免复位或中断过于频繁，影响微控制器的正常工作。具体地，滤波单元20可以采用同步计数器、RS触发器或组合逻辑电路等多种形式构成。