[实用新型]液晶显示面板及其像素结构无效

专利信息
申请号: 200820055821.5 申请日: 2008-02-29
公开(公告)号: CN201159813Y 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 李喜峰 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 及其 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,适用于多畴垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述像素结构包括:

扫描线和数据线,配置于一基板上,以定义一像素区域,所述像素区域包括第一子像素区域和第二子像素区域;

一薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述扫描线与所述数据线;以及

一像素电极,配置于所述像素区域内,并电性连接至所述薄膜晶体管的源极,其中在所述第一子像素区域内的部分像素电极的高度低于在所述第二子像素区域内的部分像素电极的高度,且至少在所述第一子像素区域的像素电极之上覆盖一层透明的第一耦合电容介质层。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极上设有多个狭缝。

3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一耦合电容介质层还覆盖所述第二子像素区域,且所述第一子像素区域与所述第二子像素区域的高度相同。

4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二子像素区域的像素电极之上覆盖一层透明的第二耦合电容介质层,且所述第二耦合电容介质层的厚度小于所述第一耦合电容介质层的厚度,其中所述第一耦合电容介质层与所述第二耦合电容介质层的介电常数不同。

5.一种液晶显示面板,适用于多畴垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述液晶显示面板包括:

一薄膜晶体管阵列基板,具有多个像素结构,每一像素结构包括:

扫描线和数据线,配置于一基板上,以定义一像素区域,所述像素区域包括第一子像素区域和第二子像素区域;

一薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述扫描线与所述数据线;以及

一像素电极,配置于所述像素区域内,并电性连接至所述薄膜晶体管的源极,其中在所述第一子像素区域内的部分像素电极的高度低于在所述第二子像素区域内的部分像素电极的高度,且至少在所述第一子像素区域的像素电极之上覆盖一层透明的第一耦合电容介质层;

一彩膜基板,与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置;以及

一液晶层,配置于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间。

6.如权利要求5所述的液晶显示面板,其特征在于,所述像素电极上设有多个狭缝。

7.如权利要求5所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一耦合电容介质层还覆盖所述第二子像素区域,且所述第一子像素区域与所述第二子像素区域的高度相同。

8.如权利要求5所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第二子像素区域的像素电极之上覆盖一层透明的第二耦合电容介质层,且所述第二耦合电容介质层的厚度小于所述第一耦合电容介质层的厚度,其中所述第一耦合电容介质层与所述第二耦合电容介质层的介电常数不同。

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