[实用新型]多功能输入终端无效

专利信息
申请号: 200820055829.1 申请日: 2008-02-29
公开(公告)号: CN201213227Y 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 贺凯瑞;龚大伟;理查德.格雷 申请(专利权)人: 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H01L25/00;H01L27/00
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 代理人: 黄志达
地址: 201203上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多功能 输入 终端
【权利要求书】:

1、一种集成电路,其特征在于,其包含:

一个终端;和

构件,以确定终端是否:1)在集成电路外部接低,或2)在集成电路外部接高,或3)悬空或者基本上悬空,其中如果此构件确定终端是悬空或是基本上悬空的,那么此构件改变此构件的部分运行特性,其中运行特性的幅值是连接在终端上的电阻的阻值的函数,其中电阻是在集成电路外部,且其中运行特性取自于集合,集合包含电流幅值,电压幅值,频率,电容值,电感量,滤波器特性,时间,设置,和温度。

2、一种集成电路,其特征在于,其包含:

一个终端;

一个电路,其确定终端是否在集成电路外部通过相对低的阻抗连接到数字逻辑高电压的源上,在集成电路外部通过相对低的阻抗连接到数字逻辑低电压的源上,或者在集成电路外部通过相对高的阻抗连接到一个直流电压的源上;和

一个电流源,其输出一个调整的电流,如果电路确定终端是通过相对高的阻抗连接到直流电压的源上,其中调整的电流的幅值是相对高阻抗的阻值的函数。

3、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其另外还包含:

一个电源电压终端,其中电源电压终端是上述数字逻辑高电压的源;和

一个地终端,其中地终端是上述数字逻辑低电压的源。

4、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中如果电路确定终端是连接到上述数字逻辑高电压的源上,电路声明第一个数字逻辑信号,其中如果电路确定终端是连接到上述数字逻辑低电压的源上,电路声明第二个数字逻辑信号,其中如果电路确定终端是通过相对高的阻抗连接到上述直流电压的源上,电路声明第三个数字逻辑信号。

5、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中上述的直流电压源是集成电路的地终端,且其中地终端是上述的数字逻辑低电压的源。

6、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中电路包含:

一个第一电流源,其有第一节点和第二节点。

一个N沟道场效应晶体管,其有源极、栅极和漏极,其中所述N沟道场效应晶体管的漏极连接到第一电流源的第二个节点,且其中源极连接到终端。

一个P沟道场效应晶体管,其有源极、栅极和漏极,其中所述P沟道场效应晶体管的源极连接到终端;和

一个第二电流源,其有第一节点和第二节点,其中第二电流源的第一节点接到所述P沟道场效应晶体管的漏极。

7、根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,其另外还包含:

一个数字逻辑电路,其有一个输入端和一个输出端,其中输入端连接到第一电流源的第二节点。

8、根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,其另外还包含:

一个第二数字逻辑电路,其有一个输入端和一个输出端,其中第二数字逻辑电路的输入端连接到第二电流源的第一节点。

9、根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,其中电路另外还包含:

一个偏置网络,其把所述N沟道场效应晶体管的栅极偏置在第一个几乎完全恒定的直流电压上,和把所述P沟道场效应晶体管的栅极偏置在第二个几乎完全恒定的直流电压上。

10、根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,其中电路另外还包含:

一个偏置网络,其把所述N沟道场效应晶体管的栅极和所述P沟道场效应晶体管的栅极偏置在相同的几乎完全恒定的直流电压上。

11、根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,其中电路通过检测在所述N沟道场效应晶体管的漏极和所述P沟道场效应晶体管的漏极上的数字逻辑状态,来确定终端在集成电路外部用相对低的阻抗连接到数字逻辑高电压的源上。

12、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中电流源包含;

一个晶体管,其有栅极、源极和漏极;和

一个差分放大器,其有一个第一差分输入端和一个第二差分输入端和一个输出端的,其中第一差分输入端连接到终端和晶体管的源极,且其中差分放大器的输出端连接到晶体管的栅极。

13、根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,如果电路确定终端在集成电路的外部通过相对低的阻抗连接到数字逻辑低电压的源,那么停止电流源。

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