[实用新型]电动自行车的驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动电路，特别涉及一种电动自行车的驱动电路。

背景技术

MOSFET是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电低、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺稳定等优点，因此大大地扩展了它的应用范围。

MOSFET即是金属-氧化物-半导体场效应管，基本结构是用金属或多晶硅作控制栅极，控制栅极电压来调制半导体沟道内的电流大小，在栅极和沟道之间用薄氧化层来绝缘。因为是用电压控制，所以不需注入输入电流，只在瞬间对栅电容充电。MOSFET与传统BJT(双极型晶体管)相比，前者是电压控制型，后者则是电流控制型：电压控制型只需在栅极和源极之间施加一定的电压，就会产生流过源、漏极的电流；而电流型必须在基极和发射极之间加载一定的电流才能产生流过集电极的电流。由于Trench(沟槽)工艺的日益成熟，MOSFET的沟道导通电阻越来越小，目前已经做到毫欧级水平，非常适于低功耗设计中的电源转换及开关。同时MOSFET在单管应用中，与双极型晶体管一样有各种频率、功率和开关应用的型号，但是MOSFET比BJT更易驱动，比如CMOS/TTL/光藕/脉冲变压器等等都可用于驱动电路，而其绝缘栅所具有的高输入阻抗是双极晶体管无法比拟的优势。

电动自行车作为一种新型、环保、节能的交通工具，深受大家的喜爱，每年都保持10％的增长速度，所以安全、系统一致性好、稳定性好、效率高、成本低等成为了电动自行车系统开发的基本要求。

为了提高的电子产品的电源使用效率，同时需要提供极大的供电电流(一般达到20-30安培以上)的情况下，电源管理系统中的MOS开关控制管就不能集成在电源管理芯片之内，只能选择外部扩展功率(Power)MOSFET或者BJT和外部驱动来实现DC/DC功能。而BJT是电流型控制器件，不容易驱动，并且自身消耗功率较大，一般不宜采用。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中的缺陷，提供一种电动自行车的驱动电路，该电动自行车的驱动电路采用WNM75N80型NMOSFET，自身功耗比较小，极大地提高开关电源效率。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种电动自行车的驱动电路，其实质性特点在于，其包括一驱动模块电路和一NMOS组，该驱动模块电路和该NMOS组电性连接，该驱动模块电路包括一高压栅极驱动器、一第一电容和一第二电容，该第一电容、该第二电容都和该高压栅极驱动器电性连接。

其中，该NMOS组包括第一NMOSFET管和第二NMOSFET管。

其中，该第一NMOSFET管的源极和第二NMOSFET管的漏极连接。

其中，该第一NMOSFET管的漏极直接与高压电源连接。

其中，该第一NMOSFET管和第二NMOSFET管为由沟槽工艺制造的功率MOSFET管。

其中，该高压栅极驱动器包括一电源端、一高信号脚和一低信号脚，该电源端接收外部的电源，该高信号脚和该低信号脚分别接收外部的高、低脉宽调制信号。

其中，该高压栅极驱动器还包括一上端驱动输出脚、一上端驱动控制脚和一下端驱动输出脚，该上端驱动输出脚与第一NMOSFET管的栅极连接，该上端驱动控制脚与与第一NMOSFET管的源极连接，该下端驱动输出脚与第二NMOSFET管的栅极连接。

其中，该第一电容为滤波电容，其位于电源端和接地之间。

其中，该高压栅极驱动器还包括一上端驱动电源脚，该第二电容为自举电容，该第二电容位于上端驱动电源脚与上端驱动控制脚之间。

其中，该电动自行车的驱动电路为一同步整流降压电路。

本实用新型的积极进步效果在于：

1、电路结构简单，所需外围器件少，适用于大部分开关电源大电流电源系统中，且自身功耗比较小，极大地提高开关电源效率；

2、由于采用集成电路芯片控制模式，系统参数的一致性、稳定性较好；

3、同时采用具有国内公司自主开发的Trench工艺制造的WNM75N80型NMOSFET，极大地降低了系统生产成本，目前已取得一定的市场认可，具有很高的实用价值。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的原理框图。

图2为图1的电路原理图。

具体实施方式

下面举个较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本实用新型。