[实用新型]全缓冲模组内存散热片无效
| 申请号： | 200820058171.X | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN201199520Y | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 邵世婷;王文;邰晓亮 | 申请（专利权）人： | 力优勤电子技术(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;G06F1/20;H05K7/20;G11C5/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲 模组 内存 散热片 | ||
1.一种全缓冲模组内存散热片，由前散热片和后散热片构成，其间夹持一FB-DIMM内存，其特征在于，所述前散热片和后散热片内侧面贴敷热接口片与FB-DIMM内存完全贴合，前散热片和后散热片的四周均设有若干翅片。
2.如权利要求1所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片和后散热片四周的翅片与散热片主体在同一个平面上。
3.如权利要求1所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片内侧有一个与FB-DIMM内存的AMB对应的凹槽。
4.如权利要求1或2所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片内侧最中间有一个与FB-DIMM内存的DIE对应的凹槽。
5.如权利要求3所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片内侧与DIE对应的凹槽两边各有一个焊接角对应的凹槽。
6.如权利要求2或5所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片内侧的与AMB对应的凹槽、与DIE对应的凹槽与FB-DIMM内存接触面涂有胶状导热硅脂。
7.如权利要求1或2所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片和后散热片内侧粘贴有具有缓冲作用的片状导热胶。
8.如权利要求1或2所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述前散热片和后散热片，其材料为铝合金。
9.如权利要求1所述的全缓冲模组内存散热片，其特征是：所述翅片为条形，且间隔向外侧翘起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力优勤电子技术(上海)有限公司，未经力优勤电子技术(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820058171.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
