[实用新型]液晶显示装置有效
申请号: | 200820060811.0 | 申请日: | 2008-10-07 |
公开(公告)号: | CN201392443Y | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 马骏;蒋顺;凌志华 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/133;H01L27/12 |
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地址: | 201201上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
所属技术领域
本实用新型涉及一种液晶显示装置,尤其涉及一种可以减少馈通电位降的液晶显示装置。
背景技术
IPS(In-plane switch)液晶显示模式是一种广视角的液晶显示模式。由于其视角特性优异,所以在液晶显示产品,尤其是在大尺寸液晶显示产品中得到了广泛的应用。IPS技术是一种通过液晶分子依侧向电场在面内翻转以造成不同的光程差,从而实现光的透过率各异的液晶显示模式。最初的IPS液晶显示模式的设计是将条状的共用电极和像素电极布置在同一平面上。
FFS(Fringe field switch)模式的液晶显示装置采用像素电极与共用电极夹持绝缘层分离重叠排列而成。FFS模式主要解决IPS模式固有的开口率低造成透光少的问题,并降低了功耗。这两者在显示原理上基本相同,都是采用侧向电场实现液晶分子的旋转达到显示的效果。相比于IPS模式,在制造过程中FFS模式具有更高的良率,同时产品具有更好的显示效果。
现有IPS模式与FFS模式存在的最大问题是残影问题。随着显示装置工作时间的增加,部分被极化而产生的电荷由于像素中电流直流分量的存在而钉扎在介质层表面,具体而言,主要是针扎在取向膜上,从而使像素内部无法实现电中性。产生直流残留后,显示的图象会发生变化,即产生残影。
现以FFS模式的液晶显示装置为例分析其残影形成的原因。
如图1所示,并参阅图2,FFS模式的第三液晶显示装置3包括第三上基板300,与第三上基板300呈面向设置的第三下基板310,及夹持于第三上基板300和第三下基板310之间的第三液晶层320。FFS模式的第三液晶显示装置3的第三下基板310包括若干第三像素区域330。在第三下基板310的任一第三像素区域330上成型梳状的第三像素电极331。在所述第三像素电极331的下侧,即背向第三上基板300的一侧成型第三共用电极332。所述第三像素电极331与所述第三共用电极332用第三绝缘层333间隔。在加电时,第三像素电极331与第三共用电极332之间形成第三侧向电场340。第三液晶层320的液晶分子在所述第三侧向电场340的作用下,在面内旋转,而实现图像显示。
如图3所示,并结合参阅图1,其中,图3为第三液晶显示装置3的等效电路原理示意图。在现有的第三液晶显示装置3的驱动电路中,由于控制第三像素电极331并为其充电的第三薄膜晶体管350在导通和关闭时的电位差异很大,即Vgon与Vgoff之间的差异很大,则在第三薄膜晶体管350从导通状态到关闭状态的过程中,电性连接于第三栅极线360的第三薄膜晶体管350的栅极电位将发生变化。定义第三薄膜晶体管350的栅极与第三薄膜晶体管350的源极(s)之间形成第三寄生电容370。则第三寄生电容370电势差也将随第三薄膜晶体管350的栅极电位的变化而相应变化。其中,所述第三薄膜晶体管350的源极(s)与所述第三像素电极331的电位相等。在第三像素区域330中第三寄生电容370与第三存储电容380以及第三液晶电容390是并联的,则第三寄生电容370上电压的变化势必会带来第三液晶电容390上电位的变化,从而对显示的灰阶信息产生影响。
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