[实用新型]分布反馈注入放大半导体激光器

权利要求书

1、一种分布反馈注入放大半导体激光器，它包括主激光器(A)、第一光隔离器(B)、锥形激光放大器(C)、第二光隔离器(D)、微弱光探测激光功率稳定系统(E)和激光整形系统(F)、放大后的激光束通过分束镜(38)，其特征是电流温度控制电路(1)与主激光器电流温度控制接口(2)和锥形激光放大器电流温度控制接口(3)相连，锥形激光放大芯片(21)的电极经过陶瓷电极(40)与电流温度控制接口(3)相连，主激光器调整座(4)和主激光器准直透镜调整座(8)与主激光器底座(4)相连，分布反馈半导体激光管(7)与热电致冷封装模块(6)相连后固定在主激光器调整座(4)上，主激光器准直透镜(9)和主激光器透镜调整座(8)相连，第一至第四格兰泰勒棱镜(12、13、26、27)与第一、第二旋光器(11、25)相连组成光隔离器后固定在第一、第二光隔离器底座(10、24)上，锥形放大激光器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)、锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)和锥形激光放大器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大芯片(21)和热敏电阻(17)与锥形激光放大器底座(14)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)与锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)相连，锥形放大激光器输出端准直透镜(22)与锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)相连，柱面镜(29)与柱面镜底座(28)相连，主激光器的输出激光经过光隔离器后注入锥形激光放大器，放大后的激光经过光隔离器再经过分束镜(38)，光经过柱面镜(29)后整形输出高斯光束。

2、根据权利要求1所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：主激光器(A)包括分布反馈半导体激光管(7)、热电致冷封装模块(6)、主激光器调整座(5)、主激光器准直透镜(9)和主激光器准直透镜调整座(8)，分布反馈半导体激光管(7)与热电致冷封装模块(6)相连，热电致冷封装模块(6)与主激光器调整座(5)相连后调解左右的位置，主激光器准直透镜(9)与主激光器准直透镜调整座(8)相连后调解上下的位置，主激光器准直透镜(9)与分布反馈半导体激光管(7)发光端面的位置通过准直透镜(9)前后调节，调节分布反馈半导体激光管(7)和主激光器准直透镜(9)的相对位置，得到准直的高斯光束。

3、根据权利要求1所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：第一光隔离器(B)由第一格兰泰勒棱镜(12)、第一旋光器(11)、第二格兰泰勒棱镜(13)依次相连组成，第二光隔离器(D)由第三格兰泰勒棱镜(26)、第二旋光器(25)、第四格兰泰勒棱镜(27)依次相连。

4、根据权利要求1所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：锥形激光放大器(C)包括锥形激光放大器底座(14)、锥形激光放大芯片底座(15)、热电致冷块(16)、热敏电阻(17)、锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)、锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)、锥形激光放大芯片(21)、锥形激光放大器输出端准直透镜(22)、锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)，热电致冷块(16)与锥形激光放大器底座(14)和锥形激光放大芯片底座(15)相连，热敏电阻(17)和锥形激光放大芯片(21)通过陶瓷电极(40)与电流温度控制端口(3)相连，主激光器(A)输出的准直激光通过锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)后注入锥形激光放大芯片(21)，放大后的激光束用锥形激光放大器输出端准直透镜(22)进行准直，锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)和锥形激光放大器输出端准直透镜(22)与锥形激光放大器外壳(18)相连来调节与锥形激光放大芯片(21)的相对位置。

5、根据权利要求1所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：放大后的激光束通过分束镜(38)将其分成两束，通过光电探测器(39)反馈到电流温度控制电路(1)对锥形放大器的电流进行反馈控制，得到功率稳定的激光束。

6、根据权利要求1所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：柱面镜底座(28)与柱面镜(29)相连，锥形激光放大器输出的激光束经过柱面镜(29)整形后得到近似圆形光斑的高斯光束(30)。

7、根据权利要求1或3所述的一种分布反馈注入放大半导体激光器，其特征在于：第一光隔离器(B)放置在主激光器和锥形激光放大器的中间，防止锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)反射光回到分布反馈半导体激光管(7)，第二光隔离器(D)放置在锥形激光放大器后面，防止光路中的激光反射回锥形放大激光芯片(21)。