[实用新型]基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路无效
| 申请号： | 200820074047.2 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN201159815Y | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 范伟;代永平;范义 | 申请（专利权）人： | 天津力伟创科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 赵庆 |
| 地址： | 300384天津市华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 互补 mos 晶体管 lcos 像素 单元 电路 | ||
1.基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：主要由1个NMOS晶体管(1)、1个PMOS晶体管(2)、1个平板电容器(3)组成；其中，PMOS晶体管(1)、NMOS晶体管(2)形成电学并联，再与平板电容器(3)形成电学串联。
2.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的NMOS晶体管的栅极(11)接行扫描器寻址信号输出端。
3.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的PMOS晶体管的栅极(6)接行扫描器寻址信号的反相信号输出端。
4.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的PMOS晶体管的漏极(5)与NMOS晶体管的漏极(10)相连接。
5.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的PMOS晶体管的源极(4)、NMOS晶体管的源极(12)、平板电容器的上电极(8)互相连接。
6.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的平板电容器的下电极(9)接地。
7.根据权利要求1所述的LCOS像素电路，其特征在于：所述的PMOS晶体管的背电极(7)接高电位。
8.根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于：所述的NMOS晶体管的背电极(13)接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津力伟创科技有限公司，未经天津力伟创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820074047.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于齿轮箱的装配工具
- 下一篇：草坪保护垫
