[实用新型]电容式传声器芯片

权利要求书

1、一种电容式传声器芯片，其特征在于，包括：

基底(21)；

与基底(21)间隔第一预定距离的振膜(25)，所述振膜(25)以悬臂梁的方式固定在基底上；

下止挡(23)，所述下止挡(23)位于所述振膜(25)之下，用于限制所述振膜的位移量。

2、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，还包括：

上止挡(26)，所述上止挡(26)设置在所述振膜(25)上方且固定于所述基底(21)，所述上止挡(26)与所述振膜(25)具有第三预定距离，用于限制所述振膜的位移量。

3、根据权利要求2所述的电容式传声器芯片，其中所述上止挡(26)包括：固定部分，固定部分用于将所述上止挡(26)固定于所述基底(21)；以及止挡部分，所述止挡部分用于限制所述振膜的位移量。

4、根据权利要求3所述的电容式传声器芯片，其中所述下止挡(23)在所述基底(21)上的投影与所述上止挡(26)的止挡部分在所述基底(21)上的投影至少部分重叠。

5、根据权利要求2所述的电容式传声器芯片，其中所述下止挡(23)位于所述振膜的边缘部分。

6、根据权利要求3所述的电容式传声器芯片，其中所述上止挡(26)的止挡部分位于所述振膜的边缘部分。

7、根据权利要求3所述的电容式传声器芯片，其中所述上止挡(26)的止挡部分和所述下止挡(23)的位置是振膜在振动过程中振幅大体最大的区域或变形时变形量最大的区域。

8、根据权利要求3所述的电容式传声器芯片，其中所述振膜(25)的固定位置在所述振膜(25)的第一侧的边缘部分，而所述上止挡(26)的止挡部分和所述下止挡(23)在所述振膜的、与所述第一侧相对的第二侧的边缘部分。

9、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，其中所述振膜(25)在振膜的边缘部分固定于所述基底。

10、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，其中所述振膜(25)在所述振膜之外的区域通过梁(33)固定于所述基底。

11、根据权利要求3所述的电容式传声器芯片，还包括用于将所述上止挡(26)固定于所述基底的上止挡支撑(24)。

12、根据权利要求11所述的电容式传声器芯片，其中所述上止挡(26)为大体板状结构，且所述上止挡(26)的固定部分固定于上止挡支撑(24)，而所述上止挡(26)的止挡部分从所述上止挡支撑(24)伸出。

13、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，还包括悬梁(32)，所述悬梁(32)的一端与所述振膜相连，且所述悬梁(32)的另一端位于所述下止挡(23)之上，通过所述下止挡(23)限制所述另一端的位移量，由此限制所述振膜的位移量。

14、根据权利要求13所述的电容式传声器芯片，其中所述悬梁(32)位于所述振膜之内。

15、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，其中所述振膜(25)通过振膜支撑(22)固定于基底。

16、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，其中所述下止挡(23)与基底(21)相连，且所述下止挡(23)与所述振膜(25)具有第二预定距离。

17、根据权利要求1所述的电容式传声器芯片，其中所述下止挡(23)与所述振膜(25)相连，且所述下止挡(23)与所述基底(21)具有第二预定距离。