[实用新型]整流逆变模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基本电子电路，更为具体地讲，本实用新型涉及一种电子模块，尤其是指一种整流逆变模块，在国际专利分类表中本实用新型应分为H03大类。

背景技术

目前，有关整流逆变模块的产品不少，也得到相当的推广和应用，但是现有技术仍有不足之处，其主要缺陷是：由于现有技术是经过二次运放再次分配驱动信号，其误差明显变大；其次，由于采用单元内部驱动电源为负载公用的动力输入电源，所以控制电源受到电网供电和负载变化的影响；另外，由于上述原因不能采用机箱外壳接地技术，使得相邻单元间存在电磁相互干扰，降低了单元工作的可靠性。结构相对复杂，所使用的元件较多，在转换过程中所受到的干扰增加，相应的可靠性降低，所带来的误差也势必增加；另外，因为结构复杂，不仅成本高，体积大，更为突出的缺点是耗能大，抗干扰性差，由于在单元内部的复杂控制部分受到了单元内功率电子器件高电磁干扰和高温度的影响。

发明内容

本实用新型的目的在于：针对已有技术的不足，提供结构相当简单的、可以避免在转换过程中产生误差和干扰的、工作效率高的一种整流逆变模块。

本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：

所述的整流逆变模块包括整流器部分、逆变器部分和驱动器部分。

所述的整流器部分与所述的逆变器部分相连接；所述的驱动器部分接向所述的逆变器部分。

在所述整流器部分的输出端附有滤波器，所述的滤波器为由第一电容C₁至第n电容Cn的串、并联电容组成的电容器组。

所述的整流器部分为三相全波整流电路，其包括第一整流二极管D₁、第二整流二极管D₂、第三整流二极管D₃、第四整流二极管D₄、第五整流二极管D₅和第六整流二极管D₆。

所述的逆变器部分包括第一绝缘栅双极型晶体管IGBT₁、第二绝缘栅双极型晶体管IGBT₂、第三绝缘栅双极型晶体管IGBT₃和第四绝缘栅双极型晶体管IGBT₄。

所述的驱动器部分包括第一驱动、第二驱动、第三驱动和第四驱动。

所述的第一整流二极管D₁的阴极、第二整流二极管D₂的阴极和第三整流二极管D₃的阴极连接在一起并分别和所述的第一电容C₁的正极、第一绝缘栅双极型晶体管IGBT₁的漏极、第二绝缘栅双极型晶体管IGBT₂的漏极相连接。

所述的第四整流二极管D₄阳极、第五整流二极管D₅阳极和第六整流二极管D₆的阳极连接在一起并分别和所述的第n电容Cn的负极、第三绝缘栅双极型晶体管IGBT₃的源极、第四绝缘栅双极型晶体管IGBT₄的源极相连接。

所述的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT₁的源极和第三绝缘栅双极型晶体管IGBT₃的漏极相连接形成第一输出端1，所述的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT₂的源极和第四绝缘栅双极型晶体管IGBT₄的漏极相连接形成第二输出端2。

所述的第一驱动连接所述的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT₁的栅极，

所述的第二驱动连接所述的第三绝缘栅双极型晶体管IGBT₃的栅极，

所述的第三驱动连接所述的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT₂的栅极，

所述的第四驱动连接所述的第四绝缘栅双极型晶体管IGBT₄的栅极。

所述的第一驱动、第二驱动、第三驱动和第四驱动的型号均为DDIGD515EI。

所述的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT₁、第二绝缘栅双极型晶体管IGBT₂、第三绝缘栅双极型晶体管IGBT₃和第四绝缘栅双极型晶体管IGBT₄均为3300V等级功率逆变元件。