[实用新型]一种微谐振腔光传感器无效

专利信息
申请号: 200820085726.X 申请日: 2008-04-11
公开(公告)号: CN201184868Y 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 戴道锌;何赛灵 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 谐振腔 传感器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种微谐振腔光传感器,属于光传感器件领域。

背景技术

近年来,低成本、高灵敏度德超小型传感器的需求不断增长,尤其在生物、环境以及化学等方面。针对这种需求,基于平面光波导技术的集成型光学传感器逐渐受到众人关注。目前已有多种结构,如马赫-泽德干涉仪(A.Densmore,etal.A silicon-on-insulator photonic wire based evanescent field sensor.IEEEPhotonics Technology Letters,18(23):2520-2522,2006)、表面等离子波传感(Homola J,et al.Surface plasmon resonance sensors:review.Sensors and ActuatorsB-Chemical,54(1-2):3-15,1999)以及微环/微盘等微谐振腔结构(Sang-Yeon Choet al.A Polymer Microdisk Photonic Sensor Integrated Onto Silicon.IEEE PhotonicsTechnology Letters,18(20):2096-2098,2006)。其中,微环/微盘等微谐振腔由于具有尺寸小、易于形成高集成度的阵列而成为最有前景的传感器结构之一。当光波导有效折射率随着目标物质浓度而变化时,微谐振腔的谐振波长发生漂移,因此通过测试此波长漂移即可测得目标物质的浓度变化。然而,为了实现更精确的测试,必须发展精度更高的光学传感器。

发明内容

本实用新型的目的是一种高灵敏度微谐振腔光传感器。

本实用新型的微谐振腔光传感器,包括输入波导、微谐振腔、输出波导和光功率衰减器,输入波导和输出波导分别与微谐振腔耦合,置于微谐振腔的两侧,输入波导的一端为整个光传感器的光源接入端,输入波导的另一端与光功率衰减器的输入端相连,光功率衰减器的输出端与输出波导的一端相连,输出波导的另一端为传感信号出射端。

上述的微谐振腔可以是微环、微盘、微球或光子晶体微腔,也可以是微环、微盘、微球和光子晶体微腔这几种结构的任意两个或多个的组合。

上述的光功率衰减器可以是弯曲光波导、Y分支、方向耦合器、多模干涉耦合器或马赫-泽德干涉仪,或为两根在连接处具有间隙或横向偏移的光波导。

其工作过程为:将被测物质覆盖在微谐振腔传感器的上表面,光从输入波导的一端入射,与微谐振腔发生耦合,满足谐振的波长在微谐振腔发生谐振,并从输出波导输出。不满足谐振波长的光则从输入波导的另一端出射并经过光功率衰减器而进入输出波导,其中部分光由于输出波导与微谐振腔之间的耦合作用,再次耦合进入微谐振腔,而另一部分从输出波导另一端出射。当被测物质物质折射率发生变化时,微谐振腔谐振波长发生漂移。通过测试谐振波长漂移或者某一固定波长功率的变化即可实现高灵敏度传感。

本实用新型有益的效果是:

本实用新型结构简单,设计方便,仅需标准工艺制作。采用微谐振腔设计,可以实现非常尖锐的频谱响应,从而实现高精度、高灵敏度测试。

附图说明

图1是是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为弯曲光波导的示意图;

图2是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为方向耦合器的示意图;

图3是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为马赫-泽德干涉仪的示意图;

图4是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为Y分支的示意图;

图5是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为多模干涉耦合器的示意图;

图6是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为两根在连接处具有间隙的光波导的示意图;

图7是微谐振腔传感器中的光功率衰减器为两根在连接处具有横向偏移的光波导的示意图;

图8是本实用新型与传统微谐振腔传感器的频谱响应比较,图中实线为本实用新型微谐振腔传感器的频谱响应,虚线为传统微谐振腔传感器的频谱响应;

图9是当有效折射率变化2×10-5时,频谱响应变化情况,图中曲线1、2分别为折射率变化前、后本实用新型的频谱响应曲线;曲线3、4分别为折射率变化前、后传统微谐振腔传感器的频谱响应曲线。

具体实施方式

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