[实用新型]平膜式气体流量传感器

权利要求书

1、平膜式气体流量传感器，其特征在于它由单晶硅片(1)、绝缘层、过渡层(4)、敏感金属层(5)、钝化保护层(6)和电极(8)组成；单晶硅片(1)的上下表面分别生成有绝缘层，所述绝缘层内向外分别由二氧化硅层(2)和氮化硅层(3)组成，在上部的绝缘层上生成有过渡层(4)，过渡层(4)的上部为敏感金属层(5)，沿垂直或平行于单晶硅片(1)上表面的晶向方向刻蚀过渡层(4)和敏感金属层(5)为加热电阻Rh、测温热敏电阻Ra和控制电阻Rb，加热电阻Rh、测温热敏电阻Ra和控制电阻Rb相互平行；单晶硅片(1)上表面的绝缘层、过渡层(4)和敏感金属层(5)外部覆盖有钝化保护层(6)，电极(8)透过钝化保护层(6)与敏感金属层(5)连接，电极(8)由电极过渡层和电极层组成，电极过渡层位于电极层和敏感金属层(5)之间；单晶硅片(1)的底部开有一个平行于电阻刻蚀方向截面为杯形的沉槽，所述截面为杯形的沉槽的上底面为上部绝缘层的下底面，单晶硅片(1)的底部还开有一个垂直于电阻刻蚀方向的矩形导流槽(10)，截面为杯形的沉槽通过矩形导流槽(10)与外界连通。

2、根据权利要求1所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于矩形导流槽(10)设置在截面为杯形的沉槽的横向轴心线上。

3、根据权利要求1或2所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于矩形导流槽(10)的宽度为150～250微米、深度为100～200微米。

4、根据权利要求3所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于加热电阻Rh设置在绝缘层上表面的纵向中心线上，测温热敏电阻Ra分别对称设置在加热电阻Rh两侧的绝缘层的上表面。

5、根据权利要求1或4所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于截面为杯形的沉槽设置在单晶硅片(1)底部的纵向轴心线上。

6、根据权利要求1或4所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于单晶硅片(1)为N型，晶向为100，厚度为400微米的双面抛光单晶硅片。

7、根据权利要求1或4所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于绝缘层中二氧化硅层(2)的厚度为0.85～1微米。

8、根据权利要求7所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于绝缘层中氮化硅层(3)厚度为0.15～0.18微米。

9、根据权利要求8所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于钝化保护层(6)的厚度约0.8～1微米。

10、根据权利要求9所述的平膜式气体流量传感器，其特征在于电极(8)的电极过渡层为铬电极过渡层，电极(8)的电极层为金电极层；厚度为1微米。