[实用新型]半导体激光器的封装结构无效
| 申请号： | 200820091982.X | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN201199606Y | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 戚海华;熊笔锋;江斌;马宏 | 申请（专利权）人： | 深圳世纪晶源光子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022;H01S5/024;H01S5/40;H01S5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 封装 结构 | ||
1.一种半导体激光器的封装结构，其包括热沉，以及热沉上的激光条，该激光条包括若干个激光器，其特征在于：所述的热沉与激光条之间设置有绝缘层，该绝缘层上设置有焊料层，所述的激光条与绝缘层通过焊料层连接在一起，所述的激光条上每相邻两个激光器之间设置有间隙，该间隙穿过所述的焊料层。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的间隙的宽度小于相邻激光器的宽度。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的间隙通过至少一根金属线将至少两个激光器串联在一起。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的激光器分别设置有电源。
5.根据权利要求3或4所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的间隙穿入到绝缘层中。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的间隙穿过绝缘层。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的绝缘层的面积大于激光条的面积。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的绝缘层是通过焊料焊接于热沉的表面。
9.根据权利要求7所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的绝缘层是通过化学或物理方法沉积于热沉的表面，再在绝缘层上覆盖焊料层。
10.根据权利要求3所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于：所述的金属线与激光器及绝缘层的表面接头处设置有一层金属电极层。
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