[实用新型]T型双回路自耦合PCB天线无效
申请号: | 200820092686.1 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN201207431Y | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 魏勇 | 申请(专利权)人: | 湖州明芯微电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q9/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 313000浙江省湖州市青铜路6*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 回路 耦合 pcb 天线 | ||
1、一种T型双回路自耦合PCB天线,为铜箔镀溅于PCB基板,其特征在于:辐射回路A顶层加感走线(3)和辐射回路B顶层加感走线(6)成T型分布于天线主极化纵向走线(2)两侧,天线主极化纵向走线(2)下部的天线馈电端口(1)与PCB电路板电路工作区(D)电连接。
2、根据权利要求1所述的一种T型双回路自耦合PCB天线,其特征在于:辐射回路A顶层加感走线(3)和辐射回路B顶层加感走线(6)可以对称分布,也可以非对称分布,二者与天线主极化纵向走线(2)的上部电连接。
3、根据权利要求1所述的一种T型双回路自耦合PCB天线,其特征在于:辐射回路A顶层加感走线(3)和辐射回路B顶层加感走线(6)远离天线主极化纵向走线(2)的一端均设有连接过孔(4、7),在PCB基板的背面还分别设有辐射回路A和辐射回路B的底层耦合面(5、8)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖州明芯微电子设计有限责任公司,未经湖州明芯微电子设计有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820092686.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶型A及制备方法
- 下一篇:一种(S)-泮托拉唑的精制方法