[实用新型]直流三电平变换器无效
| 申请号： | 200820092802.X | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN201194374Y | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴坤 | 申请（专利权）人： | 艾默生网络能源有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H02H7/10 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518057广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流 电平 变换器 | ||
1.一种直流三电平变换器，包括开关电路，其特征在于，所述开关电路中的至少一个桥臂使用IGBT管和MOS管相并联，所述MOS管驱动先于所述IGBT导通且后于所述IGBT关断。
2.根据权利要求1所述的直流三电平变换器，其特征在于，所述开关电路包括：MOS管Q1、Q2、Q3和Q4，以及IGBT管VT1、VT2；
其中，IGBT管VT1的集电极与MOS管Q2的漏极连接并连接到MOS管Q1的源极、IGBT管VT1的发射极连接到MOS管Q2的源极连接并连接到MOS管Q3的漏极；
IGBT管VT2的集电极与MOS管Q3的漏极连接、IGBT管VT2的发射极与MOS管Q3的源极连接并连接到MOS管Q4的漏极。
3.根据权利要求1所述的直流三电平变换器，其特征在于，所述开关电路包括：MOS管Q1、Q2、Q3和Q4，以及IGBT管VT1、VT2；
其中，IGBT管VT1的集电极与MOS管Q1的漏极连接、IGBT管VT1的发射极连接到MOS管Q1的源极并连接到MOS管Q2的漏极；
MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极连接；
IGBT管VT2的集电极与MOS管Q4的漏极连接并连接到MOS管Q3的源极、IGBT管VT2的发射极与MOS管Q4的源极连接。
4.根据权利要求1至3任一所述的直流三电平变换器，其特征在于，所述MOS管是N沟道增强型MOS管，所述IGBT是N沟道IGBT。
5.根据权利要求2或3所述的直流三电平变换器，其特征在于，还包括保护电路，所述保护电路的输入端连接到所述开关电路的输出端。
6.根据权利要求5所述的直流三电平变换器，其特征在于，所述保护电路包括二极管D1、D2、D3或D4；
其中，二极管D1的阴极和阳极分别连接到MOS管Q1的漏极和源极；
二极管D2的阴极和阳极分别连接到MOS管Q2的漏极和源极；
二极管D3的阴极和阳极分别连接到MOS管Q3的漏极和源极；
二极管D4的阴极和阳极连接到MOS管Q4的漏极和源极。
7.根据权利要求6所述的直流三电平变换器，其特征在于，所述开关电路还包括二极管D5和D6；
其中，二极管D5的阴极连接到MOS管Q2的漏极，二极管D5的阳极连接到二极管D6的阴极，二极管D6的阳极连接到MOS管Q3的源极。
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