[实用新型]一种大功率多LED芯片的封装结构有效

专利信息
申请号: 200820095226.4 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN201233892Y 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 黄少威 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 led 芯片 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于LED芯片发光二极管制造领域,具体涉及一种大功率LED芯片的封装结构。

技术背景

目前,单颗发光二极管(LED)芯片的功率是满足不了消费者高亮度的需求,所以在要求使用高亮度的情况下需要组合很多个LED芯片。这时就需要采用多LED芯片封装结构,因为这种结构可以提高发LED光源的亮度。一种公开的多LED芯片封装结构包括基板、电极、管芯、透明胶状物,其中基板为铝或其合金,基板上至少有一个凹杯,每个凹杯侧面和底面有一金属镀层,两金属电极分布在每个凹杯杯口边缘或凹杯底面,每个凹杯的底部至少安放一个管芯,胶状物填充整个凹杯并在杯口形成出光面。可是这种封装方法只适合双电极水平结构的LED芯片(下面简称双电极LED芯片)混联电连接,不适合单电极垂直结构的LED芯片(下面简称单电极LED芯片)多块混联电连接封装。因为单极LED芯片的一个电极在下面会与金属基板相连接,这样只能适合所有LED芯片并联了。电路原理图如图1所示。不能实现多种LED芯片的混合连接和串联电连接或者单电极LED芯片的混合电连接和串联电连接。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大功率多LED芯片的封装结构,实现含有单电极的多LED芯片的混合电连接。

为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:提供一种大功率多LED芯片的封装结构,其包括外壳,金线,复数个LED芯片,设置在外壳内用于安放所述LED芯片的复数个碗杯凹槽;每个碗杯凹槽中安放一个LED芯片,LED芯片至少有一个是单电极垂直结构LED芯片,其中,碗杯凹槽是分立且彼此间相互绝缘的,所述单电极垂直结构LED芯片的下电极通过安放所述单电极垂直结构LED芯片的碗杯凹槽间接与金线电连接,LED芯片的上电极通过金线引出。

碗杯凹槽(下面简称碗杯)是热、电的良导体,可以是铝或其合金,可以是铜或其合金,还可以是陶瓷。碗杯的规格是由LED芯片的大小决定的。本实用新型方案中金属碗杯是通过注塑成型的,陶瓷碗杯是通过烧结成型的。在碗杯的四周侧面和底部涂有高反射率的物质如银或镁。碗杯的底部为固晶区,用来容纳LED芯片。在碗杯内填满荧光粉,可以实现白光发光。

LED芯片是通过胶粘合在碗杯底部。粘合胶是热、电的良好导体。通过金线将各LED芯片连接起来构成电通路。由于各碗杯间是电绝缘的,所以我们就很好的解决了由于一整块金属底座而引起只能实现单电极LED芯片间并联连接的问题。电路原理图如图2所示。这样由于碗杯的复数封装,就实现了LED芯片的复数封装。满足了LED大功率的发光需求。

本实用新型的有益效果是,通过封装复数个分立的碗杯,且每个碗杯中放一个LED芯片,实现了LED芯片多种电连接方式的封装结构。

附图说明

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明:

图1为背景技术中LED芯片间的电路原理图;

图2为本实用新型实施例中单电极LED芯片间的电路原理图;

图3为本实用新型实施例一的结构示意图;

图4为本实用新型实施例一的结构俯视图;

图5为本实用新型实施例一的结构底部图;

图6为本实用新型实施例二的结构俯视图;

图7为本实用新型实施例三的结构俯视图;

图8为本实用新型实施例四的结构俯视图。

具体实施方式

实施例一

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