[实用新型]EMC电子开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子开关领域，具体地讲，是指一种可同时具有电磁兼容的电子开关。

背景技术

电子开关难点在于是射频微波频率的大功率、超带宽、甚高速。参考图1、2所示，一般来讲，功率越大，元器件的PN节相应越大，相应的寄生电感Lj和电容Cj也越大，寄生电感Lj和电容Cj是与生俱来的，它定义了开关的截止频率，限制了电子开关的速度。另外，封装电容引起隔离度随频率升高而逐渐降低。封装寄生电感Lp引起开关插损随频率按比例增加。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种电子开关，其可克服现有缺陷，可实现纳秒级触发速度。

为了解决现有技术存在的问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种电子开关，其包括施密特触发器，用于对脉冲整形；光电耦合器，用与连接耦合施密特触发器及两三极管Q1及Q2；三极管Q1为NPN型三极管，三极管Q2为PNP型三极管，三极管Q1的e极与三极管Q2的c极相连，两三极管的b极与光电耦合器相连，开关闭合时，场效应管Q3，其为N沟道增强型绝绷栅场效应管，其受两三极管激发产生纳秒脉冲；电感L1，一端连接场效应管的D极，另一端连接一电容，其受场效应管发出的纳秒脉冲作用，导通并产生一瞬间的反向高压；向所述电容充电，电容另一端连接另一电感L2，其受电感L2倍压，使该电容瞬间对与其相连的肖特基二极管放电；光电耦合器连接有一个NPN型三极管和一个PNP型三极管构成推挽放大器及场效应管，肖特基二极管的正向端与该场效应管的D极相连。

上述的电子开关，两三极管Q1及Q2与光电耦合器间连接有电阻。

采用上述结构后，使用时，拨动开关至“闭合”状态，施密特整形触发器U1，触发光电耦合器U2，带动推挽放大器Q1Q2，激发场效应三极管Q3一个纳秒脉冲，使LI瞬间导通，由于L1的高频特性，产生一个瞬间的反向高压，对C1充电；同时，L2也阻止电压瞬态升高，通过D2对C1倍压，C1瞬间对D1放电，使之导通，完成电子开关的“闭合”动作；随后拨动开关至“关断”状态，施密特整形触发器U1使Q4断开，完成电子开关的“关断”，与习用电子开关相比，本新型电子开关，可克服现有缺陷，利用肖特基二极管恢复快，低功耗、超高速特点，尤其是其反向恢复时间极短，正向导通压降仅0.4V左右的特点，实现纳秒极的触发速度。

附图说明

图1为现有电子开关的示意图；

图2为现有封闭电子开关的示意图；

图3为本新型的结构示意图。

具体实施方式

如图3所示，本实用新型公开了一种电子开关，其包括施密特触发器U1，用于对脉冲整形；其最重要的特点是能够把变化缓慢的输入信号整形成边沿陡峭的矩形脉冲。同时，施密特触发器还可利用其回差电压来提高电路的抗干扰能力。

光电耦合器U2，用与连接耦合施密特触发器U1及两三极管Q1及Q2；

三极管Q1为NPN型三极管，三极管Q2为PNP型三极管，三极管Q1的e极与三极管Q2的c极相连，两三极管的b极与光电耦合器U2相连，开关闭合时，场效应管Q3，其为N沟道增强型绝绷栅场效应管，其受两三极管Q1及Q2激发产生纳秒脉冲；

电感L1，一端连接场效应管的D极，另一端连接一电容C1，其受场效应管Q3发出的纳秒脉冲作用，导通并产生一瞬间的反向高压；向所述电容C1充电，电容C1另一端连接另一电感L2，其受电感L2倍压，使该电容C1瞬间对与其相连的肖特基二极管D1放电；

光电耦合器U2连接有一个NPN型三极管和一个PNP型三极管构成推挽放大器及场效应管Q4，肖特基二极管D1的正向端与场所述效应管的D极相连。

两三极管Q1及Q2与光电耦合器间连接有电阻R2和R3。

使用时，拨动开关1至“闭合”状态，施密特整形触发器U1，触发光电耦合器U2，带动推挽放大器Q1Q2，激发场效应三极管Q3一个纳秒脉冲，使LI瞬间导通，由于L1的高频特性，产生一个瞬间的反向高压，对C1充电；同时，L2也阻止电压瞬态升高，通过D2对C1倍压，C1瞬间对D1放电，使之导通，完成电子开关的“闭合”动作；随后拨动开关至“关断”状态，施密特整形触发器U1使Q4断开，完成电子开关的“关断”。