[实用新型]不对称式T型薄膜电容无效
申请号: | 200820105088.3 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN201229853Y | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 王培钟 | 申请(专利权)人: | 台金科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/005;H01G2/16 |
代理公司: | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人: | 张恒康 |
地址: | 中国台湾台中市西屯*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不对称 薄膜 电容 | ||
1.一种不对称式T型薄膜电容,使用于薄膜电容中,包括第一层金属化膜和第二层金属化膜,其特征在于:
所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极,且设有并联连续不对称的区块;
所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区,且其余部分蒸着为金属电极;所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折,且在其侧喷涂金属融层容置入所述电容器。
2.如权利要求1所述的不对称式T型薄膜电容,其特征在于,所述第一层金属化膜和所述第二层金属化膜分别在电极与并联汇流排间狭窄连接处设置不同尺寸、数量的保险丝,且在相邻电极末端狭窄跨接处增加电桥。
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